[发明专利]自由基产生膜形成组合物、自由基产生膜、以及水平电场液晶单元的制造方法在审
申请号: | 202080087937.0 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN114868076A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 野田尚宏 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;C08G73/10 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 龚敏;王刚 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自由基 产生 形成 组合 以及 水平 电场 液晶 单元 制造 方法 | ||
1.一种自由基产生膜形成组合物,其含有(A)成分和(B)成分,所述(A)成分是在主链上具有下述式(1)表示的结构单元的聚合物,所述(B)成分是作为水平电场驱动用液晶取向剂的取向成分使用的聚合物,
式(1)中,A表示引发自由基聚合的有机基团。
2.根据权利要求1所述的自由基产生膜形成组合物,其中,作为所述(A)成分的聚合物是选自使用二胺成分得到的聚酰亚胺前体、聚酰亚胺、聚脲和聚酰胺中的至少一种聚合物,所述二胺成分包含含有引发自由基聚合的有机基团的二胺。
3.根据权利要求2所述的自由基产生膜形成组合物,其中,所述含有引发自由基聚合的有机基团的二胺是由下式(2)表示的二胺,
式(2)中,A1和A2分别表示氢原子或引发自由基聚合的有机基团,其中,A1和A2中的至少一个表示引发自由基聚合的有机基团,
E表示单键、-O-、-C(CH3)2-、-NH-、-CO-、-NHCO-、-COO-、-(CH2)m-、-SO2-、或包含它们的任意组合的2价有机基团,m表示1~8的整数,
p表示0~2的整数;当p为2时,多个A2分别独立地具有前述定义;另外,当p为0时,A1包含引发自由基聚合的有机基团。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的自由基产生膜形成组合物,其中,所述引发自由基聚合的有机基团是下述式(3)表示的基团,
----R6-R7-R8 (3)
式(3)中,虚线表示连接苯环的键,R6表示单键、-CH2-、-O-、-COO-、-OCO-、-NHCO-、-CONH-、-NH-、-CH2O-、-N(CH3)-、-CON(CH3)-、或-N(CH3)CO-,
R7表示单键、或者未取代的或被氟原子取代的碳原子数1~20的亚烷基,该亚烷基的任意的-CH2-或-CF2-中的1个以上分别独立地被或未被选自-CH=CH-、2价碳环和2价杂环中的基团代替,进一步地,在以下举出的任一种基团、即-O-、-COO-、-OCO-、-NHCO-、-CONH-、或-NH-互不相邻的条件下被或未被这些基团代替,
R8表示由选自式[X-1]~[X-18]、[W]、[Y]、[Z]中的式表示的引发自由基聚合的有机基团,
式[X-1]~[X-18]中,*表示与R7的键合部位,S1和S2分别独立地表示-O-、-NR-、或-S-,其中R表示氢原子、卤素原子、碳原子数1~10的烷基、或碳原子数1~10的烷氧基,R1和R2分别独立地表示氢原子、卤素原子、或碳原子数1~4的烷基,
式[W]、[Y]、[Z]中,*表示与R7的键合部位;S3表示单键、-O-、-S-、-COO-、-OCO-、-NHCO-、-CONH-、-NH-、-CH2O-、-N(CH3)-、-CON(CH3)-、或-N(CH3)CO-;Ar表示选自具有或不具有有机基团和/或卤素原子作为取代基的亚苯基、亚萘基和亚联苯基中的芳香族烃基;R9和R10分别独立地表示碳原子数1~10的烷基、烷氧基、苄基、或苯乙基,在为烷基或烷氧基的情况下,由R9和R10形成环或不形成环;
Q表示下述的任一结构,
式中,R11表示-CH2-、-NR-、-O-、或-S-,其中R表示氢原子或碳原子数1~4的烷基,*表示键位,
R12表示氢原子、卤素原子、碳原子数1~10的烷基、或碳原子数1~10的烷氧基。
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