[发明专利]量测方法和相关联的量测和光刻设备

权利要求书

1.一种涉及衬底上的结构的测量的量测方法，所述结构经受一个或更多个不对称偏差，所述方法包括：

获得与不对称偏差相关的至少一个强度不对称性值，其中所述至少一个强度不对称性值包括与由所述结构衍射的辐射的至少两个衍射阶的各自的强度或幅度之间的差异或不平衡性相关的指标；

基于所述至少一个强度不对称性值确定与所述一个或更多个不对称偏差相对应的至少一个相位偏移值；以及

根据所述一个或更多个相位偏移确定针对所述一个或更多个不对称偏差的一个或更多个测量校正。

2.根据权利要求1所述的量测方法，其中，所述确定包括根据所述至少一个强度不对称性值计算与所述一个或更多个不对称偏差相对应的至少一个相位偏移值。

3.根据权利要求1或2所述的量测方法，其中，所述至少一个强度不对称性值还与所述结构的对称偏差有关；并且所确定的所述至少一个相位偏移值也对应于所述对称偏差，使得所确定的所述测量校正也针对所述对称偏差进行校正。

4.根据权利要求1或2所述的量测方法，其中，所述至少两个衍射阶包括至少一对互补衍射阶。

5.根据权利要求1或2中任一项所述的量测方法，其中，所述量测方法包括针对多个不同照射设置中的每一个照射设置获得与所述结构相关的强度不对称性值。

6.根据权利要求5所述的量测方法，其中，不同的照射设置能够包括不同的波长、偏振或其组合。

7.根据权利要求5所述的量测方法，还包括确定针对每个照射设置的相位偏移值。

8.根据权利要求5所述的量测方法，还包括：

确定与所述不同照射设置中的每个照射设置相关的相位测量结果之间的相位偏移变化数据；以及

在所述计算步骤中使用所述相位偏移变化数据以确定作为针对所有所述照射设置的公共相位偏移值的所述相位偏移值。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述计算步骤包括：

将至少一个散布模型和/或散布关系和/或散布近似拟合到强度不对称性测量结果以获得拟合后的散布模型和/或散布关系和/或散布近似，所述散布模型和/或散布关系和/或散布近似包括所述结构的作为传输函数或其近似的模型；以及

根据拟合后的散布模型和/或散布关系和/或散布近似来确定所述相位偏移值。

10.根据权利要求5所述的方法，包括：

将散布模型和/或散布关系和/或散布近似拟合到所述相位偏移测量结果以获得拟合后的散布模型和/或散布关系和/或散布近似，所述散布模型和/或散布关系和/或散布近似包括所述结构的作为传输函数或其近似的模型；以及

根据拟合后的散布模型和/或散布关系和/或散布近似来确定强度不对称性测量值。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述拟合步骤包括针对两个互补衍射阶中的每一个衍射阶拟合单独的散布模型。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，假设所述散布模型中的每个散布模型的实偏移常数的值的差值在零区内。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，对于所述结构，所述散布模型和/或散布关系和/或散布近似对一个或更多个光-物质相互作用参数随照射条件的变化进行建模。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述一个或更多个光-物质相互作用参数包括以下中的一个或更多个：折射率、介电常数、电极化率、以及与折射率、介电常数、电极化率相关的任何一个或更多个参数。