[发明专利]电压产生系统的调节在审

专利信息
申请号: 202080088190.0 申请日: 2020-12-03
公开(公告)号: CN114846547A 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: M·特里帕蒂;M·皮卡尔迪;郭晓江 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;G11C16/04;G11C16/30;G11C16/32;G05F1/46;G05F1/575;H02M3/07;H02M3/156;H05K1/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 丁昕伟
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电压 产生 系统 调节
【说明书】:

电压产生系统可包含电阻性分压器,其具有连接于其输出与第一反馈节点之间的第一电阻,并且具有连接于所述第一反馈节点与第一电压节点之间的第二电阻;电容性分压器,其具有连接于其输出与第二反馈节点之间的第一电容,并且具有连接于所述第二反馈节点与所述第一电压节点之间的第二电容;比较器,其具有连接到所述第二反馈节点的输入;和电压产生电路,其被配置成响应于所述比较器的输出并且响应于时钟信号而在其输出处产生电压电平,其中所述第一反馈节点选择性地连接到所述第二反馈节点并且选择性地连接到第二电压节点,所述第一电阻选择性地连接到所述第一反馈节点,且所述第二电阻选择性地连接到所述第一电压节点。

技术领域

本公开大体上涉及集成电路,且特定来说,在一或多个实施例中,本公开涉及用于集成电路(例如存储器)中的电压产生系统的调节的设备和方法。

背景技术

集成电路装置普遍存在于广泛范围的电子装置中。一种特定类型包括存储器装置,时常简称为存储器。存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器,包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和快闪存储器。

快闪存储器已发展成用于多种多样的电子应用的广受欢迎的非易失性存储器来源。快闪存储器通常使用支持高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管存储器单元。通过对电荷存储结构(例如,浮动栅极或电荷陷阱)或其它物理现象(例如,相变或偏振)进行编程,存储器单元的阈值电压(Vt)改变确定每个存储器单元的数据状态(例如,数据值)。快闪存储器和其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电气设备、车辆、无线装置、移动电话和可拆卸式存储器模块,且非易失性存储器的用途在持续扩大。

NAND快闪存储器是常用类型的快闪存储器装置,如此称谓的原因在于布置基本存储器单元配置的逻辑形式。通常,用于NAND快闪存储器的存储器单元阵列布置成使得阵列中的一行中的每个存储器单元的控制栅极连接在一起以形成存取线,例如字线。阵列中的列包含在一对选择栅极之间,例如在源极选择晶体管与漏极选择晶体管之间,串联连接在一起的存储器单元串(常常称为NAND串)。每一源极选择晶体管可连接到源极,而每一漏极选择晶体管可连接到数据线,例如列位线。使用存储器单元串与源极之间和/或存储器单元串与数据线之间的超过一个选择栅极的变型是已知的。

集成电路装置通常由两个或更多个外部供应的电压(例如Vcc和Vss)供电。除所述供应电压之外,集成电路装置通常还产生供在所述装置的操作中使用的其它电压。举例来说,在存储器中,通常在存取操作期间,例如在感测操作、编程操作(通常被称为写入操作)或擦除操作期间利用这类内部产生的电压。内部产生的电压通常高于(例如,高得多)或低于任何供应电压。

通常使用电荷泵或其它电压产生电路执行从供应电压产生其它电压电平的操作。电荷泵通常利用交替开关的电容(例如,电容器)从供应电压产生更高或更低电压。电力效率在集成电路装置的设计和使用中通常是重要的考虑因素,这些内部电压的产生和传输通常引起显著的电力损耗。

附图说明

图1是根据实施例的作为电子系统的部分与处理器通信的存储器的简化框图。

图2A-2B是可用于参考图1所描述的类型的存储器中的存储器单元阵列的部分的示意图。

图3是相关技术的常规电荷泵的示意图。

图4是相关技术的电压产生系统的示意框图。

图5是根据实施例的电压产生系统的示意框图。

图6是根据实施例的控制信号产生器的示意框图。

图7是根据实施例的图6的各个信号的定时图的概念实例。

图8是根据实施例的操作电压产生系统的方法的流程图。

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