[发明专利]纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的重复单元结构的酚醛清漆树脂，

在式(1)中，

基A表示具有芳香族环、稠合芳香族环、或稠合芳香族杂环的有机基，

基B表示具有芳香族环或稠合芳香族环的有机基，

基E表示单键、或者可以被取代且可以包含醚键和/或羰基的支链或直链的碳原子数1～10的亚烷基，

基D表示下述式(2)所示的碳原子数1～15的有机基，

n表示1～5的数，

式(2)中，R¹、R²、R³各自独立地为氟原子、或者直链、支链、或环状的烷基，R¹、R²、R³中的任意两者可以相互结合而形成环。

2.根据权利要求1所述的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，基D为叔丁基或三氟甲基。

3.根据权利要求1或2所述的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，基A中的具有芳香族环、稠合芳香族环、或稠合芳香族杂环的有机基为具有1个或多个苯环、萘环、蒽环、芘环、或者苯环与杂环或脂肪族环形成的稠环的有机基。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，基A中的具有芳香族环、稠合芳香族环、或稠合芳香族杂环的有机基为可以在环上、环内、或环间包含选自N、S和O中的至少1种杂原子的碳原子数6～30的有机基。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，基A为选自下述基团中的至少1种，

式中，i、j、m、n各自独立地为1或2，G表示直接键合、或下述式中的任意者，

-CH₂- -CH(CH₃)- -C(CH₃)₂- -C(CF₃)₂-

-C(CH₃)(C₂H₅)- -C(CH₃)(C₆H₅)- -C(C₆H₅)₂-

-SO₂-

L、M各自独立地表示氢原子、苯基、或C_1-3烷基。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，基B为亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，基E为单键、或碳原子数1～6的直链亚烷基。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，基E为单键。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，在240℃进行了烧成时显示76°以上的对纯水的接触角，并且，在350℃进行了烧成时显示70°以上的对纯水的接触角。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联剂。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含选自酸、其盐和产酸剂中的至少一种。

12.根据权利要求10或11所述的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，在350℃进行了烧成时显示65°以上的对纯水的接触角。