[发明专利]含有稀土的SiC基板和SiC外延层的制造方法在审
| 申请号： | 202080089055.8 | 申请日： | 2020-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114901875A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 松岛洁;渡边守道;吉川润 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 王刚;龚敏 |
| 地址： | 日本国爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含有 稀土 sic 外延 制造 方法 | ||
1.一种含有稀土的SiC基板，其含有稀土元素，所述稀土元素的浓度为1×1016原子/cm3以上且1×1019原子/cm3以下。
2.根据权利要求1所述的含有稀土的SiC基板，其中，
所述含有稀土的SiC基板含有Al，Al的浓度为1×1016原子/cm3以上且1×1021原子/cm3以下。
3.根据权利要求2所述的含有稀土的SiC基板，其中，
(Al的浓度)/(稀土元素的浓度)为1×10-2以上且1×105以下。
4.根据权利要求2或3所述的含有稀土的SiC基板，其中，
所述含有稀土的SiC基板含有N，N的浓度为1×1017原子/cm3以上且1×1022原子/cm3以下。
5.根据权利要求4所述的含有稀土的SiC基板，其中，
(N的浓度)/(稀土元素的浓度)为1×10-2以上且1×105以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的含有稀土的SiC基板，其中，
所述稀土元素为选自由Y、Sm、Ho、Dy和Yb组成的组中的至少一种。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的含有稀土的SiC基板，其中，
所述含有稀土的SiC基板在c轴方向和a轴方向这两个方向上取向。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的含有稀土的SiC基板，其中，所述稀土元素的深度方向偏差以变异系数计为0.9以上。
9.一种SiC外延层的制造方法，其通过向权利要求1～8中任一项所述的含有稀土的SiC基板的表面供给用于制造SiC的原料气体，在所述表面上形成SiC外延层。
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