[发明专利]用于半导体-超导体混合结构的超导体异质结构

权利要求书

1.一种半导体-超导体混合结构，包括：

半导体层；以及

在所述半导体层上的超导体异质结构，所述超导体异质结构包括在所述半导体层上的第一超导体层和在所述第一超导体层上的第二超导体层，其中所述第一超导体层包括第一超导材料，并且所述第二超导体层包括第二超导材料，所述第二超导材料不同于所述第一超导材料。

2.根据权利要求1所述的半导体-超导体混合结构，其中所述第一超导材料和所述第二超导材料包括铝、铅、铌、铟、锡、钽和钒中的一种。

3.根据权利要求2所述的半导体-超导体混合结构，其中所述半导体层包括砷化铟、锑化铟和锑化铟砷中的一种。

4.根据权利要求1所述的半导体-超导体混合结构，其中所述超导体异质结构还包括在所述第二超导体层上的第三超导体层。

5.根据权利要求4所述的半导体-超导体混合结构，其中所述第三超导体层包括所述第一超导材料。

6.根据权利要求4所述的半导体-超导体混合结构，其中所述超导体异质结构还包括在所述第三超导体层上的第四超导体层。

7.根据权利要求6所述的半导体-超导体混合结构，其中所述第三超导体层包括所述第一超导材料，并且所述第四超导体层包括所述第二超导材料。

8.根据权利要求1所述的半导体-超导体混合结构，其中所述半导体-超导体混合结构形成纳米线。

9.根据权利要求1所述的半导体-超导体混合结构，其中所述第一超导体层和所述第二超导体层中的至少一者的厚度小于3个单层。

10.根据权利要求1所述的半导体-超导体混合结构，还包括在所述超导体异质结构上的覆盖层，其中所述覆盖层被配置为保护所述超导体异质结构免受氧化。

11.一种用于制造半导体-超导体混合结构的方法，包括：

提供半导体层；以及

通过在所述半导体层上提供第一超导体层和在所述第一超导体层上提供第二超导体层，在所述半导体层上提供超导体异质结构，其中所述第一超导体层包括第一超导材料，并且所述第二超导体层包括第二超导材料，所述第二超导材料与所述第一超导材料不同。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一超导材料和所述第二超导材料包括铝、铅、铌、铟、锡、钽和钒中的一种。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述半导体层包括砷化铟、锑化铟和锑化铟砷中的一种。

14.根据权利要求11所述的方法，其中提供所述超导体异质结构还包括：在所述第二超导体层上提供第三超导体层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第三超导体层包括所述第一超导材料。