[发明专利]用于生产具有优异可加工性的聚合物组合物的方法

权利要求书

1.一种制备α组合物的方法，所述α组合物包含第一乙烯/α-烯烃/互聚物部分和第二乙烯/α-烯烃/互聚物部分；所述方法包括在一个反应器中使反应混合物聚合，所述反应混合物包含乙烯、α-烯烃、选自以下a)的金属络合物和选自以下b)的金属络合物：

a)选自以下结构1的联苯酚金属络合物：

M为选自锆(Zr)或铪(Hf)的金属，所述金属呈+2、+3或+4的形式氧化态；

n为0、1或2；

当n为1时，X是单齿配体或二齿配体；

当n为2时，每个X为独立选择的单齿配体；

所述金属络合物总体上为电荷中性的；

-Z¹-和-Z²-中的每一者独立地选自-O-、-S-、-N(R^N)-或–P(R^P)-；

R¹和R⁸独立地选自由以下组成的群组：-H、(C₁-C₄₀)烃基、(C₁-C₄₀)杂烃基、-Si(R^C)₃、-Ge(R^C)₃、-P(R^P)₂、-N(R^N)₂、-OR^C、-SR^C、-NO₂、-CN、-CF₃、R^CS(O)-、R^CS(O)₂-、(R^C)₂C＝N-、R^CC(O)O-、R^COC(O)-、R^CC(O)N(R)-、(R^C)₂NC(O)-、卤素、具有式(I)的基团、具有式(II)的基团和具有式(III)的基团：

其中R^31–35、R^41–48和R^51–59中的每一者独立地选自(C₁-C₄₀)烃基、(C₁-C₄₀)杂烃基、-Si(R^C)₃、-Ge(R^C)₃、-P(R^P)₂、-N(R^N)₂、

-N＝CHR^C、-OR^C、-SR^C、-NO₂、-CN、-CF₃、R^CS(O)-、R^CS(O)₂-、(R^C)₂C＝N-、R^CC(O)O-、R^COC(O)-、R^CC(O)N(R^N)-、(R^C)₂NC(O)-、卤素或–H；

R^2–7、R^9–16中的每一者独立地选自(C₁-C₄₀)烃基、(C₁-C₄₀)杂烃基、-Si(R^C)₃、-Ge(R^C)₃、-P(R^P)₂、-N(R^N)₂、-N＝CHR^C、-OR^C、-SR^C、-NO₂、-CN、-CF₃、R^CS(O)-、R^CS(O)₂-、(R^C)₂C＝N-、R^CC(O)O-、R^COC(O)-、R^CC(O)N(R^N)-、(R^C)₂NC(O)-、卤素或-H；

L为(C₁-C₄₀)亚烃基或(C₁-C₄₀)亚杂烃基，其中所述(C₁-C₄₀)亚烃基具有包括1个碳原子到10个碳原子的连接子主链的部分，连接结构1中的两个Z基团(L键结至所述两个Z基团)；或所述(C₁-C₄₀)亚杂烃基具有包括1个原子到10个原子的连接子主链的部分，连接结构1中的所述两个Z基团，其中所述(C₁-C₄₀)亚杂烃基的所述1个原子到10个碳子的连接子主链的1到10个原子中的每一者独立地为碳原子或杂原子基团，其中每个杂原子基团独立地为O、S、S(O)、S(O)₂、Si(R^C)₂、Ge(R^C)₂、P(R^C)或N(R^C)，其中独立地，每个R^C为(C₁-C₃₀)烃基或(C₁-C₃₀)杂烃基；并且

结构1中的每个R^P、R^N和其余的R^C独立地为(C₁-C₃₀)烃基、(C₁-C₃₀)杂烃基或-H；

b)选自结构2的联苯酚金属络合物：

M为Zr或Hf，所述金属呈+2、+3或+4的形式氧化态；

n为0、1或2；

当n为1时，X是单齿配体或二齿配体；

当n为2时，每个X为独立选择的单齿配体；

所述金属络合物总体上为电荷中性的；

-Z¹-和-Z²-中的每一者独立地选自-O-、-S-、-N(R^N)-或–P(R^P)-；

R¹和R⁸独立地选自由以下组成的群组：-H、(C₁-C₄₀)烃基、(C₁-C₄₀)杂烃基、-Si(R^C)₃、-Ge(R^C)₃、-P(R^P)₂、-N(R^N)₂、-OR^C、-SR^C、-NO₂、-CN、-CF₃、R^CS(O)-、R^CS(O)₂-、(R^C)₂C＝N-、R^CC(O)O-、R^COC(O)-、R^CC(O)N(R)-、(R^C)₂NC(O)-、卤素、具有式(I)的基团、具有式(II)的基团和具有式(III)的基团：

其中R^31–35、R^41–48和R^51–59中的每一者独立地选自(C₁-C₄₀)烃基、(C₁-C₄₀)杂烃基、-Si(R^C)₃、-Ge(R^C)₃、-P(R^P)₂、-N(R^N)₂、-N＝CHR^C、-OR^C、-SR^C、-NO₂、-CN、-CF₃、R^CS(O)-、R^CS(O)₂-、(R^C)₂C＝N-、R^CC(O)O-、R^COC(O)-、R^CC(O)N(R^N)-、(R^C)₂NC(O)-、卤素或–H；

R^2–7、R^9–16中的每一者独立地选自(C₁-C₄₀)烃基、(C₁-C₄₀)杂烃基、-Si(R^C)₃、-Ge(R^C)₃、-P(R^P)₂、-N(R^N)₂、-N＝CHR^C、-OR^C、-SR^C、-NO₂、-CN、-CF₃、R^CS(O)-、R^CS(O)₂-、(R^C)₂C＝N-、R^CC(O)O-、R^COC(O)-、R^CC(O)N(R^N)-、(R^C)₂NC(O)-、卤素或–H；

Y为-(CH₂)_n-，其中n＝0至2；-CR^aR^b-，其中R^a和R^b各自独立地为(C₁-C₄₀)烃基、(C₁-C₄₀)杂烃基或-H；-Ge(R^D)₂-或-Si(R^D)₂-，其中每个R^D独立地选自由以下组成的群组：-H、(C₁-C₄₀)烃基、(C₁-C₄₀)杂烃基、-Si(R^C)₃、-Ge(R^C)₃、-P(R^P)₂、-N(R^N)₂、-OR^C、-SR^C、-NO₂、-CN、-CF₃、R^CS(O)-、R^CS(O)₂-、(R^C)₂C＝N-、R^CC(O)O-、R^COC(O)-、R^CC(O)N(R^N)-和(R^N)₂NC(O)-；并且

结构2中的每个R^C、R^P和R^N独立地为(C₁-C₃₀)烃基、(C₁-C₃₀)杂烃基或-H；

前提条件是对于结构1或结构2中的一个，当R1和R8各自为具有式(II)的基团时，R¹²和R¹³不可均为卤基，其中R⁴³＝R⁴⁶＝t-Bu，并且R^41-42＝R^44-45＝R^47-48＝-H；并且

前提条件是当结构1和结构2具有相同R基团、Z基团、X基团和Z¹与Z²之间的连接基团时，这些结构不具有相同金属(M)，使得对于一个结构而言M为Hf，那么对于另一结构而言所述M为Zr。