[发明专利]LED显示设备及其制造方法

权利要求书

1.一种LED显示设备，所述LED显示设备包括：

公共电极层，所述公共电极层位于第一基板上；

第二基板，所述第二基板包括第一像素驱动装置和第二像素驱动装置；

第一发光装置，所述第一发光装置位于所述公共电极层上，所述第一发光装置包括第一n型半导体层、第一有源层和第一p型半导体层；

第二发光装置，所述第二发光装置位于所述公共电极层上，所述第二发光装置包括第二n型半导体层、第二有源层和第二p型半导体层；

第一连接电极，所述第一连接电极将所述第一p型半导体层连接到所述第一像素驱动装置；以及

第二连接电极，所述第二连接电极将所述第二p型半导体层连接到所述第二像素驱动装置，

其中，所述公共电极层由与所述第一n型半导体层相同的材料制成并直接连接到所述第一n型半导体层，

其中，所述LED显示设备还包括第三连接电极，所述第三连接电极将所述公共电极层连接到所述第二n型半导体层。

2.根据权利要求1所述的LED显示设备，其中，所述公共电极层被设置在所述第一基板的整个区域上。

3.根据权利要求1所述的LED显示设备，其中，所述第一有源层和所述第二有源层被配置成发射不同波长的光。

4.根据权利要求1所述的LED显示设备，其中，所述第一有源层被配置成发射蓝色波长或绿色波长的光。

5.根据权利要求1所述的LED显示设备，所述LED显示设备还包括缓冲层，所述缓冲层缓冲所述第一基板与所述公共电极的两层之间的晶格常数，

其中，所述公共电极通过外延工序而生长在所述第一基板上。

6.根据权利要求1所述的LED显示设备，其中，所述第一基板是蓝宝石基板。

7.根据权利要求1所述的LED显示设备，其中，所述公共电极是掺杂有Si的nGaN层。

8.根据权利要求1所述的LED显示设备，所述LED显示设备还包括黑矩阵，所述黑矩阵填充在所述第一发光装置与所述第二发光装置之间。

9.根据权利要求1所述的LED显示设备，所述公共电极还包括在所述第一发光装置与所述第二发光装置之间的混光防止层。

10.根据权利要求9所述的LED显示设备，其中，所述混光防止层是由用于反射光的导电材料制成的光导层。

11.根据权利要求1所述的LED显示设备，所述LED显示设备还包括第三发光装置，所述第三发光装置位于所述公共电极层上，

其中，所述第一发光装置、所述第二发光装置和所述第三发光装置发射不同波长的光。

12.一种制造LED显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：

在第一基板上形成公共电极层，并且随后生长包括第一n型半导体层、第一有源层和第一p型半导体层的第一发光装置；

在第二基板上设置像素驱动装置和第二像素驱动装置；

将包括第二n型半导体层、第二有源层和第二p型半导体层的第二发光装置转移到所述公共电极层上；以及

将所述第一基板和所述第二基板彼此接合；

设置第一连接电极以将所述第一p型半导体层连接到所述第一像素驱动装置；以及

设置第二连接电极以将所述第二p型半导体层连接到所述第二像素驱动装置。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述第一基板上形成所述公共电极层并且生长所述第一发光装置的步骤包括连续地生长半导体层并对所述半导体层进行蚀刻以形成所述第一发光装置。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述第一基板上形成所述公共电极的步骤还包括在所述第一基板上形成用于缓冲晶格常数的缓冲层。