[发明专利]铁电性薄膜、使用其的电子元件以及铁电性薄膜的制造方法在审
| 申请号： | 202080090482.8 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114902385A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 上原雅人;秋山守人;山田浩志;舟洼浩;清水荘雄;安冈慎之介 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人产业技术综合研究所;国立大学法人东京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;C01B21/06;C01G15/00;C01G33/00;C30B23/08;H01L45/00;H01L49/00;H01L41/09;H01L41/113;H01L41/187;H01L41/31;C04B35/50;C04B35/58;C04B3 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;胡玉美 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铁电性 薄膜 使用 电子元件 以及 制造 方法 | ||
1.一种铁电性薄膜，其特征在于，由化学式M11-XM2XN表示，M1为选自Al和Ga中的至少1种元素，M2为选自Mg、Sc、Yb和Nb中的至少1种元素，X在0以上且1以下的范围内。
2.根据权利要求1所述的铁电性薄膜，其特征在于，M1为Al，M2为Sc，X在大于0且0.219以下的范围内。
3.根据权利要求1所述的铁电性薄膜，其特征在于，M1为Al，M2为Sc，X在0.065以上且0.219以下的范围内。
4.根据权利要求1所述的铁电性薄膜，其特征在于，M1为Al，M2为Sc，X在0.16以上且0.219以下的范围内。
5.根据权利要求1所述的铁电性薄膜，其特征在于，M1为Al，M2为Mg1-YNbY，X在0以上且1以下的范围内，Y在0以上且1以下的范围内。
6.根据权利要求1所述的铁电性薄膜，其特征在于，M1为Ga，M2为Sc，X在0以上且1以下的范围内。
7.根据权利要求1所述的铁电性薄膜，其特征在于，M1为Al，M2为Yb，X在0以上且1以下的范围内。
8.根据权利要求1所述的铁电性薄膜，其特征在于，M1为Ga，X为0。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的铁电性薄膜，其特征在于，通过下式算出的u在0.375以上且小于0.5的范围内，
该式中，a表示所述铁电性薄膜的晶体结构中的a轴的晶格常数，c表示c轴的晶格常数。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的铁电性薄膜，其特征在于，膜厚在1nm～300nm的范围内。
11.根据权利要求1～9中任一项所述的铁电性薄膜，其特征在于，膜厚在1nm～200nm的范围内。
12.据权利要求1～9中任一项所述的铁电性薄膜，其特征在于，膜厚在1nm～100nm的范围内。
13.根据权利要求1～9中任一项所述的铁电性薄膜，其特征在于，膜厚在20nm～80nm的范围内。
14.一种铁电性薄膜，其特征在于，在低耐热性基材上设有权利要求1～13中任一项所述的铁电性薄膜。
15.一种电子元件，其使用了权利要求1～14中任一项所述的铁电性薄膜。
16.一种铁电性薄膜的制造方法，其特征在于，使用溅射法来制造权利要求1～14中任一项所述的铁电性薄膜，
溅射气体至少含有氮，所述溅射气体中所含的该氮的摩尔浓度在0.667～1.0的范围内，
所述溅射气体的压力为1Pa以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
