[发明专利]用于沉积二维的层的方法以及CVD反应器

权利要求书

1.一种用于在CVD反应器(1)中的至少一个基材(4)上沉积二维的层的方法，在所述方法中，借助输入管路(10、20)将工艺气体馈送到进气机构(2)的气体分配室(11、21)中，所述进气机构具有第一气体分配室(11)和至少一个与所述第一气体分配室分开的第二气体分配室(21)，所述第一气体分配室和第二气体分配室分别通过输入管路(10、20)被馈送彼此不同的气体或者气体混合物，所述气体或者气体混合物同时从彼此不同的、分别对应于其中一个气体分配室(11、21)的排气开口(14、24)流出到处理室(3)中，在所述方法中，所述工艺气体或者所述工艺气体的分解产物在所述处理室(3)中被引向至少一个基材(4)的表面，并且在所述方法中，借助加热装置(6)将所述基材(4)加热至过程温度(T_P)，从而所述工艺气体在处理室中发生化学反应，使得在表面上沉积二维的层，其特征在于，在第一步骤中将惰性气体或者稀释气体馈送到所述第一处理室(11)中并且将包含二维的第一层的元素的反应性气体或者气体混合物馈送到所述第二处理室(21)中，所述反应性气体或者气体混合物在所述处理室(3)中分解，其中，所述分解产物形成二维的第一层，并且在第二步骤中在二维的第一层上方和/或在二维的第一层旁边沉积第二层，其中，将惰性气体或者稀释气体馈送到所述第二处理室(21)中，并且将包含二维的第二层的元素的反应性气体或者气体混合物馈送到所述第一处理室(11)中，所述反应性气体或者气体混合物在所述处理室(3)中分解，其中，分解产物形成二维的第二层。

2.一种用于在至少一个基材(4)上沉积二维的层的CVD反应器(1)的应用，所述CVD反应器具有带有第一气体分配室(11)和至少一个与所述第一气体分配室分开的第二气体分配室(21)的进气机构(2)，所述第一气体分配室和第二气体分配室分别通过输入管路(10、20)被馈送彼此不同的气体或者气体混合物，所述气体或者气体混合物同时从彼此不同的、分别对应于其中一个气体分配室(11、21)的排气开口(14、24)流出，所述CVD反应器具有处理室(3)，所述气体分配室(11、21)的排气开口(14、24)通入所述处理室中，所述CVD反应器还具有用于容纳至少一个基材(4)的能够由加热装置(6)加热的基座(5)，其中，通过所述输入管路(10、20)将工艺气体馈送到所述进气机构(2)中并且通过所述排气开口(14、24)将工艺气体引至所述处理室(3)中，在那里发生化学反应，使得在所述至少一个基材(4)的表面上沉积二维的层，其特征在于，在第一步骤中将惰性气体或者稀释气体馈送到所述第一气体分配室(11)中，并且将反应性气体馈送到第二气体分配室(21)中，所述反应性气体在所述处理室(3)中分解，其中，分解产物形成二维的第一层，和/或在所述第一层旁边沉积第二层，其中，将惰性气体或者稀释气体馈送到所述第二气体分配室(21)中并且将反应性气体馈送到所述第一气体分配室(11)中，所述反应性气体在所述处理室(3)中分解，其中，分解产物形成二维的第二层。

3.根据权利要求1所述的方法或者根据权利要求2所述的应用，其特征在于，在第一步骤中馈送到所述第二气体分配室(21)中的第一反应性气体与在第二步骤中馈送到所述第一气体分配室(11)中的第二反应性气体不同。

4.根据前述权利要求之一所述的方法或者应用，其特征在于，将两个步骤重复一次或者多次。

5.根据前述权利要求之一所述的方法或者应用，其特征在于，在多个依次相续的步骤中相互重叠地和/或相邻地沉积彼此不同的二维的层，其中，在此使用的反应性气体交替地被馈送到彼此不同的气体分配室(11、21)中。

6.根据前述权利要求之一所述的方法或者应用，其特征在于，在多个依次相续的步骤中相邻地或者横向地相互连接地沉积彼此不同的二维的层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，交替地将彼此不同的工艺气体馈送到彼此不同的气体分配室(11、21)中。