[发明专利]钙钛矿太阳能电池在黑暗时的解耦在审
申请号: | 202080092926.1 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN114981971A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 马克西米利安·弗莱舍;罗兰·波勒;埃尔弗里德·西蒙;奥利弗·冯西卡德 | 申请(专利权)人: | 西门子能源全球有限两合公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/42;H02S50/00;H02S50/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蒋静静;支娜 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 太阳能电池 黑暗 | ||
1.一种用于运行光伏模块(10)的方法,所述光伏模块(10)具有至少一个钙钛矿太阳能电池(11),所述方法包括借助于与所述光伏模块(10)连接的调节装置(20)在最大功率点处至少暂时地运行所述光伏模块(10),其中当射到所述光伏模块(10)上的电磁辐射(2)的照射强度未超过预定的阈值时,中断电能的提取,其中在未超过所述照射强度的预定的阈值时,借助于晶体管将所述光伏模块(10)与所述调节装置(20)电解耦,并且其中所述预定的阈值处于2W/m2和20W/m2之间、尤其5W/m2和15W/m2之间的范围中,特别优选为10W/m2。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中基本上在所述照射强度超过所述预定的阈值的整个时间段期间借助于所述调节装置(20)在所述最大功率点处运行所述光伏模块(10)。
3.根据权利要求1或2所述的方法,
其中在未超过所述照射强度的预定的阈值时将所述光伏模块(10)短路。
4.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其中使用由所述光伏模块(10)产生的光电流作为射到所述光伏模块(10)上的电磁辐射(2)的照射强度的量度。
5.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其中借助于在所述光伏模块(10)的一个或多个钙钛矿太阳能电池(11)处的阻抗谱来确定射到所述光伏模块(10)上的电磁辐射(2)的照射强度。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其中所述光伏模块(10)具有附加的光电池,并且借助于所述附加的光电池确定射到所述光伏模块(10)上的电磁辐射(2)的照射强度。
7.根据权利要求6所述的方法,
其中借助于由所述附加的光电池产生的光电流来确定所述照射强度。
8.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其中基于气象学数据来估计射到所述光伏模块(10)上的电磁辐射(2)的照射强度。
9.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其中所述调节装置(20)是与所述光伏模块(10)相关联的逆变器、尤其微型逆变器。
10.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其中所述调节装置(20)是与所述光伏模块(10)相关联的功率优化器。
11.一种光伏装置(1),所述光伏装置(1)包括具有至少一个钙钛矿太阳能电池(11)的光伏模块(10)和与所述光伏模块(10)连接的调节装置(20),其中所述调节装置(20)设计用于,在最大功率点处至少暂时地运行所述光伏模块(10),然而当射到所述光伏模块(10)上的电磁辐射(2)的照射强度未超过预定的阈值时,中断能量提取,其中在未超过所述照射强度的预定的阈值时,将所述光伏模块(10)与所述调节装置(20)电解耦,并且其中所述预定的阈值处于2W/m2和20W/m2之间、尤其5W/m2和15W/m2之间的范围中,特别优选为10W/m2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的