[发明专利]预读取及读取阈值电压优化在审
申请号: | 202080093498.4 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN114981892A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 田昇埈;周振明;沈震雷 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/34;G11C29/52;G06F11/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 丁昕伟 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 读取 阈值 电压 优化 | ||
1.一种系统,其包括:
存储器装置;及
处理装置,其可操作地耦合到所述存储器装置,所述处理装置用以:
接收在所述存储器装置处读取数据的请求;
使用第一读取阈值电压执行第一读取操作以在所述存储器装置处读取所述数据;
确定使用所述第一读取阈值电压在所述存储器装置处读取的所述数据与对错误的第一不成功校正相关联;及
响应于确定使用所述第一读取阈值电压在所述存储器装置处读取的所述数据与对所述错误的所述第一不成功校正相关联,
将第二读取阈值电压存储在寄存器处以替换先前存储在与所述存储器装置相关联的所述寄存器处的预读取阈值电压,其中所述预读取阈值电压先前用于在所述存储器装置处执行预读取操作,及
使用所述第二读取阈值电压执行第二读取操作以在所述存储器装置处读取所述数据。
2.根据权利要求1所述的系统,响应于确定使用所述第一读取阈值电压在所述存储器装置处读取的所述数据与对所述错误的所述第一不成功校正相关联,所述处理装置进一步用以:
使用第三读取阈值电压执行第三读取操作以在所述存储器装置处读取所述数据,及
确定使用所述第三读取阈值电压在所述存储器装置处读取的所述数据与对所述错误的第二不成功校正相关联,其中所述第三读取操作在所述第二读取操作之前执行,且其中执行所述第二读取操作是响应于确定使用所述第一读取阈值电压在所述存储器装置处读取的所述数据与对所述错误的所述第一不成功校正相关联及确定使用所述第三读取阈值电压在所述存储器装置处读取的所述数据与对所述错误的所述第二不成功校正相关联。
3.根据权利要求2所述的系统,其中在接收在所述存储器装置处读取数据的所述请求之前,在与所述存储器装置相关联的对应寄存器处预加载所述第一读取阈值电压或所述第二读取阈值电压中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的系统,所述处理装置进一步用以:
响应于使用所述第二读取阈值电压执行所述第二读取操作以在所述存储器装置处读取所述数据,将所述预读取阈值电压存储在与所述存储器装置相关联的所述寄存器处。
5.根据权利要求4所述的系统,其中所述数据是第一数据,所述处理装置进一步用以:
接收在所述存储器装置处写入第二数据的请求;
响应于接收到在所述存储器装置处写入所述第二数据的所述请求,使用在所述寄存器处加载的所述预读取阈值电压执行第一预读取操作以在所述存储器装置处读取第三数据;
基于所述预读取操作确定与所述第三数据的第一子集的数据值相匹配的所述第二数据的第一子集的数据值,及与所述第三数据的第二子集的数据值不同的所述第二数据的第二子集的数据值;及
执行写入操作,其写入与所述第二子集的数据值不同的所述第二数据的所述第二子集的所述数据值,及避免重写与所述第三数据的所述第一子集的所述数据值相匹配的所述第三数据的所述第一子集的所述数据值。
6.根据权利要求1所述的系统,所述处理装置进一步用以:
在接收在所述存储器装置处读取数据的所述请求之前,确定存储在与所述存储器装置相关联的所述寄存器处的默认电压是否为所述第二读取阈值电压;及
响应于确定与所述存储器装置相关联的所述寄存器的所述默认电压是所述第二读取阈值电压,将所述预读取阈值电压存储在所述寄存器处以替换先前存储在所述寄存器处的所述默认电压。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述寄存器是与所述存储器装置的裸片相关联的裸片上寄存器,其中所述存储器装置包括交叉点阵列存储器,其中所述第一读取阈值电压小于所述第二读取阈值电压。
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