[发明专利]传感器装置在审
申请号: | 202080096589.3 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN115104089A | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 松本昌大;小田部晃;佐藤尭生 | 申请(专利权)人: | 日立安斯泰莫株式会社 |
主分类号: | G06F12/14 | 分类号: | G06F12/14;G11C7/24;G11C16/10;G11C16/22 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 装置 | ||
在从外部能够写入传感器装置的调整信息的传感器装置中,有可能发生调整信息的非法写入。本实施例的传感器装置(1)通过如下来构成:检测部(2),其检测物理量;非易失性存储器(5),其存储调整信息(6)和保护信息(7);调整部(3),其基于调整信息(6)的内容调整检测部(2)的输出信号;输出部(4),其经由外部端子(12)将调整部(3)的输出输出到外部;通信部(11),其经由外部端子(13)与传感器装置(1)的外部通信;写入部(8),其基于来自通信部(11)的信息进行对非易失性存储器(5)的写入处理;删除部(9),其基于来自通信部(11)的信息进行非易失性存储器(5)的删除处理;以及读出部(10),其基于来自通信部(11)的信息进行从非易失性存储器(5)的读取处理。
技术领域
本发明涉及一种能够基于存储在非易失性存储器中的调整信息来调整传感器特性的传感器装置,尤其涉及能够防止存储在非易失性存储器中的调整信息的非法写入的传感器装置。
背景技术
作为能够防止存储在非易失性存储器中的调整信息的误写入以及误删除的传感器装置的例子,有专利文献1所记载的技术。在专利文献1中,通过熔断熔丝ROM,将对非易失性存储器的写入信号物理地固定为断开状态,从而防止对非易失性存储器的误写入和非法写入。
另外,作为能够防止存储在非易失性存储器中的信息的误写入的集成电路装置的例子,有专利文献2所记载的技术。在专利文献2中,基于存储在非易失性存储器中的保护信息来保护非易失性存储器的写入或读出,从而防止对非易失性存储器的误写入和非法读出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2003-240652号公报
专利文献2:日本专利特开2008-262294号公报
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1中,通过熔断熔丝ROM,将对非易失性存储器的写入信号物理地固定为断开状态,从而防止对非易失性存储器的误写入和非法写入。在该专利文献中,由于使用熔丝ROM,所以需要用于构成熔丝ROM的特别的处理,或者需要另外设置用于熔断熔丝ROM的专用的焊盘,在为了熔丝ROM的熔断而使用晶体管的情况下,存在该晶体管的尺寸变大等问题。另外,在熔丝ROM的熔断部的可靠性的确保上也存在问题。因此,难以将熔丝ROM和非易失性存储器(特别是闪存)安装在同一芯片上,假设安装在同一芯片上的情况下,则会产生工艺成本的增加、芯片尺寸的增加、可靠性的降低等问题。因此,在使用熔丝ROM的情况下,会产生传感器装置的小型化、低成本化、可靠性等问题。
另外,在专利文献2中,基于存储在非易失性存储器中的保护信息,保护非易失性存储器的写入和读出,由此防止对非易失性存储器的误写入。该专利是为了防止存储在集成电路装置中的程序的非法读出和误写入,所以保护了非易失性存储器的读出和写入,但由于考虑了非易失性存储器的再利用,所以非易失性存储器的删除基本上不被保护。因此,在传感器装置中使用了该技术的情况下,产生不能进行存储在非易失性存储器中的调整信息的验证和存储在非易失性存储器中的信息被非法删除的问题。在该技术中,由于可以删除存储在非易失性存储器中的信息,所以可以非法改写存储在传感器装置中的调整信息。其结果是,传感器装置误动作,由此可能引起使用了传感器装置的整个系统的误动作,发生严重的损害。因此,需要防止由于来自传感器装置外部的非法操作而传感器装置的调整信息被改写。特别是由于信息安全问题,必须采取针对存储在传感器装置中的调整信息被非法该写的措施。
本发明是鉴于上述情况而完成的,目的是提供一种能够防止写入到非易失性存储器中的传感器装置的调整信息的非法写入的传感器装置。
解决问题的技术手段
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