[发明专利]半导体激光装置

权利要求书

1.一种半导体激光装置，其特征在于，

半导体激光装置具备：

透镜；

管座，配置为相对于所述透镜隔开间隔对置；

半导体激光元件，将光束中心朝向沿着所述管座的与所述透镜对置的对置面的方向，射出激光；以及

光电二极管元件，在表面具有由电介质多层膜形成的反射面，将从所述半导体激光元件射出的激光朝向所述透镜反射，并且测量所述激光的光量，

在所述半导体激光元件设置有波导部，该波导部具有：末端部，形成于所述激光的射出侧的端部，并具有0.5μm以上且0.7μm以下的宽度；和锥部，与所述末端部相连，并且宽度随着朝向所述末端部而以0.018以上且0.033以下的梯度变窄。

2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，

所述半导体激光元件相对于所述光束中心以15°以上且25°以下的扩散角射出所述激光。

3.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于，

所述扩散角为20°以上且23°以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，

所述半导体激光元件使所述光束中心朝向所述对置面以倾斜角α射出，

所述光电二极管元件设置成使所述反射面相对于所述对置面倾斜45-α/2的角度。

5.根据权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于，

所述半导体激光元件的前端面相对于芯片的层叠方向倾斜。

6.根据权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于，

所述半导体激光元件配置成使芯片的层叠方向与所述对置面平行。

7.根据权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于，

所述半导体激光元件的所述波导部在与所述芯片的层叠方向垂直的面内弯曲。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，

所述光电二极管元件设置于倾斜部，该倾斜部的接近所述半导体激光元件的一侧的端部延伸至从所述对置面凹陷的位置。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，

所述反射面形成为凹状。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，

所述波导部由透明波导构成。