[发明专利]用于存储器单元的基于计数器的感测放大器方法在审

专利信息
申请号: 202080098039.5 申请日: 2020-03-03
公开(公告)号: CN115443504A 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: R·穆泽托;F·贝代斯基;U·迪温琴佐 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/10;G06F11/10;G11C16/26
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 赵子杰
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 存储器 单元 基于 计数器 放大器 方法
【说明书】:

发明描述与用于存储器单元的基于计数器的感测放大器方法相关的方法、系统及装置。基于计数器的读取算法可包括以下阶段:‑在与存储器单元阵列相关联的计数器中存储具有存储在所述存储器阵列中的数据位的预定逻辑值的位的数目的值;‑从所述计数器读取对应于具有所述预定逻辑值的位的所述数目的所述值;‑通过施加偏压电压的斜坡来读取存储在所述存储器单元阵列中的数据;‑在数据读取阶段期间计数具有所述预定逻辑值的位的所述数目;‑当具有所述预定逻辑值的位的所述数目等于存储在所述计数器中的所述值时停止所述数据读取阶段。

背景技术

以下内容大体上涉及操作存储器阵列且更特定地涉及用于存储器单元的基于计数器的感测放大器方法。

存储器装置广泛地用于在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中存储信息。信息通过编程存储器装置的不同状态而进行存储。举例来说,二进制装置具有两个状态,通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中,可存储多于两个状态。为了存取所存储的信息,电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的所存储的状态。为了存储信息,电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置,包含磁性硬盘驱动器、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它者。存储器装置可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可维持其所存储逻辑状态历时较长时间段,即使在不存在外部电源的情况下也如此。易失性存储器单元随时间推移可能会失去其存储状态,除非其通过外部电源经周期性地刷新。

通常,改进存储器装置可包含增大存储器单元密度、提高读取/写入速度、增强可靠性、延长数据保持、降低功率消耗,或缩减制造成本,以及其它度量。当在具有存储器单元的三维(3D)阵列的特定存储器装置中存储器单元展现可变电特性时,可需要更强健读取技术来增加存储器单元性能及可靠性。

附图说明

图1说明具有支持根据本公开的实施例的用于存储器单元的基于计数器的感测放大器方法的存储器单元的三维(3D)阵列的存储器装置图式的实例。

图2说明支持根据本公开的实施例的用于存储器单元的基于计数器的感测放大器方法的3D存储器阵列的实例。

图3说明包含支持根据本公开的实施例的用于读取存储器单元的基于计数器的感测放大器方法的码字组分的存储器页的实例。

图4说明包含支持根据本公开的实施例的用于读取存储器单元的基于计数器的感测放大器方法的扩展码字组分的改进存储器页的另一实例。

图4A为与图3的存储器页相关联的计数寄存器的结构的示意图。

图5展示支持根据本公开的实施例的用于读取存储器单元的基于计数器的感测放大器方法的装置的框图。

图6展示说明根据本公开的方法操作以与存储器码字的读取阶段并行地实施存储器计数器的读取阶段的读取算法的示意图。

图7展示准备本公开的存储器装置用于根据所公开感测方法操作的编程阶段的框图。

图8展示说明根据本公开的方法操作以与存储器码字的读取阶段及另外最终尝试及重复感测阶段并行地实施存储器计数器的读取阶段的读取算法的示意图。

图9说明根据本公开的方法执行的存储器装置的读取阶段的框图。

图10说明根据本公开的方法执行并对应于图8的实例的存储器装置的替代读取阶段的框图。

图11为展示指示采用本公开的方法的读取阶段的增加的可靠性的少量曲线的图式。

图12展示根据已知解决方案的在两个不同通用存储器页XXX及ZZZ中的可在读取阶段期间检测的存储器单元的分布对时间的比较图式。

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