[发明专利]磁性隧道结、磁阻式随机存取存储器和电子器件在审
| 申请号： | 202080105266.6 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN116114402A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 秦青;周雪;路鹏;朱靖华 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/80 | 分类号： | H10N50/80;H10N50/10;H10N50/85;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 王君;肖鹂 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 磁阻 随机存取存储器 电子器件 | ||
【说明书】：
一种磁性隧道结(200，300，400)、磁阻式随机存取存储器(50)和电子器件，能够提高磁性隧道结的热稳定性。该磁性隧道结包括：参考层区域(204)；隧穿层(203)，隧穿层的构成材料为MgO；自由层区域(202)，自由层区域(202)中包括第一自由层(2021)、至少一个第二自由层(2022)以及至少一个插入层(2023)；其中，第一自由层(2021)与隧穿层(203)相邻，第一自由层(2021)的构成材料包括CoFeB，至少一个第二自由层(2022)的构成材料包括FeB，或者，至少一个第二自由层(2022)的构成材料包括CoFeB，并且Co的含量占比小于5％，插入层(2023)的构成材料包括非磁性材料，插入层(2023)间隔分布在第一自由层(2021)和至少一个第二自由层(2022)之间。
PCT国内申请，说明书已公开。
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