[其他]一种用于半导体制造的洁净室系统

权利要求书

1.一种用于半导体制造的洁净室系统，包括洁净室、电场除尘系统；

所述洁净室包括气体入口；所述电场除尘系统包括除尘系统出口、电场装置；所述洁净室的气体入口与所述电场除尘系统的除尘系统出口连通；

所述电场装置包括电场阴极和电场阳极，所述电场阴极和所述电场阳极用于产生电离电场；

所述电场阳极的积尘面积与所述电场阴极的放电面积的比为1.667：1-1680：1。

2.根据权利要求1所述的用于半导体制造的洁净室系统，其特征在于，所述电场阳极的积尘面积与所述电场阴极的放电面积的比为6.67：1-56.67：1。

3.根据权利要求2所述的用于半导体制造的洁净室系统，其特征在于，所述电场阳极的积尘面积与所述电场阴极的放电面积的比使所述电离除尘电场的耦合次数≤3。

4.根据权利要求1-3任一项所述的用于半导体制造的洁净室系统，其特征在于，所述电场阳极和所述电场阴极的极间距为小于150mm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的用于半导体制造的洁净室系统，其特征在于，所述电场阴极包括至少一根电极棒或若干阴极丝，所述电极棒的或所述阴极丝的直径不大于3毫米。

6.根据权利要求1-5任一项所述的用于半导体制造的洁净室系统，其特征在于，所述电场阴极直径为1-3毫米，所述电场阳极与所述电场阴极的极间距为2.5-139.9毫米。

7.根据权利要求1-6任一项所述的用于半导体制造的洁净室系统，其特征在于，所述电场阳极的积尘面积与所述电场阴极的放电面积的比、所述电场阳极与所述电场阴极之间的极间距、所述电场阳极长度以及所述电场阴极长度使所述电离除尘电场的耦合次数≤3。

8.根据权利要求1-7任一项所述的用于半导体制造的洁净室系统，其特征在于，所述电场阳极长度为10-180mm。

9.根据权利要求1-8任一项所述的用于半导体制造的洁净室系统，其特征在于，所述电场阴极长度为30-180mm。

10.根据权利要求1-9任一项所述的用于半导体制造的洁净室系统，其特征在于，所述电场阳极包括一个或多个并行设置的中空阳极管，所述电场阴极穿射于所述电场阳极内。

11.根据权利要求1-10任一项所述的用于半导体制造的洁净室系统，其特征在于，所述电场装置还包括电场装置入口、电场装置出口；所述电场阳极包括第一阳极部和第二阳极部，所述第一阳极部靠近所述电场装置入口，所述第二阳极部靠近所述电场装置出口，所述第一阳极部和所述第二阳极部之间设置有至少一个阴极支撑板。

12.根据权利要求11所述的用于半导体制造的洁净室系统，其特征在于，所述第一阳极部的长度是所述电场阳极长度的1/10至1/4、1/4至1/3、1/3至1/2、1/2至2/3、2/3至3/4，或3/4至9/10。

13.一种半导体制造系统，其特征在于，所述半导体制造系统包括权利要求1-12任一项所述的用于半导体制造的洁净室系统，还包括：

薄膜制备装置，该薄膜制备装置设于所述洁净室内；

薄膜刻蚀装置，该薄膜刻蚀装置设于所述洁净室内；

离子掺杂装置，该离子掺杂装置设于所述洁净室内。