[发明专利]一种基于金钯合金修饰的SnS2

权利要求书

1.一种基于金钯合金修饰的SnS₂敏感层的二甲苯气体传感器的制备方法，其步骤如下：

(1)Pd金属叉指电极的处理

分别用丙酮、乙醇棉球擦拭带有Pd金属叉指电极的Al₂O₃衬底，再将带有Pd金属叉指电极的Al₂O₃衬底依次置于丙酮、乙醇和去离子水中，分别超声清洗5～10分钟，最后在100～120℃环境下干燥；

(2)金钯合金修饰的SnS₂二维片状结构材料的制备

①将0.5～1mmol SnCl₄·5H₂O和2.5～3.5mmol CH₄N₂S加入到20～50mL去离子水中，以300～400rpm的转速强磁力搅拌0.5～1h直至混合均匀；然后将得到的混合溶液转移至以聚四氟乙烯为内衬的不锈钢高压反应釜中，在170～210℃下水热反应16～24h，将得到的SnS₂用去离子水和乙醇洗涤，然后再在60～80℃下干燥12～24小时，从而得到SnS₂二维片状结构材料；

②将0.34g HAuCl₄·4H₂O溶于50mL去离子水中搅拌至完全溶解得到20mM的氯金酸溶液；将0.177g PdCl₂溶于1.5mL质量分数为37％的盐酸中，搅拌至完全溶解后再加入去离子水至50mL得到20mM的氯钯酸溶液；

③将0.01～0.1g步骤①得到的SnS₂二维片状结构材料分散到20～40mL去离子水中，搅拌2～5h后形成均匀分散的悬浊液，再分别将步骤②得到的1000～2000μL氯金酸溶液和等体积的氯钯酸溶液加入到其中，搅拌均匀后加入1～5mL 0.1M抗坏血酸溶液，继续搅拌2～5h；将得到的AuPd合金修饰的SnS₂用乙醇和去离子水离心，并在60～80℃下干燥6～12小时，得到金钯合金修饰的SnS₂二维片状结构材料，其中AuPd合金与SnS₂的摩尔比为0.15～0.25：1；

(3)将步骤(2)制备的金钯合金修饰的SnS₂二维片状结构材料放入研钵中，研磨5～10分钟，得到粉末状材料；然后将研钵中滴入去离子水，再研磨5～10分钟，得到粘稠状的浆料；用小毛刷沾取少量的浆料，涂覆在带有Pd金属叉指电极的Al₂O₃衬底上，然后将其在室温下烘干，得到厚度为2～4μm的金钯合金修饰的SnS₂二维片状结构材料敏感层；最后在相对湿度为30～56％RH、温度为20～35℃的环境中，在80～100mA的直流电流下老化20～24小时，从而得到基于金钯合金修饰的SnS₂敏感层的气体传感器。

2.一种基于金钯合金修饰的SnS₂敏感层的二甲苯气体传感器，其特征在于：是由权利要求1所述的方法制备得到。