[发明专利]修复电路和包括修复电路的存储器设备

说明书

本公开涉及一种修复电路和包括修复电路的存储器设备。该修复电路包括：多个存储电路，该多个存储电路适用于根据优先级顺序存储修复地址，在该多个存储电路之中的每个存储电路存储表示对应的存储电路是否有效的有效信息和表示对应的存储电路是否有缺陷的故障信息；以及多个使能信号生成电路，该多个使能信号生成电路分别对应于多个存储电路，并且每个使能信号生成电路适用于基于对应的存储电路、以及具有优先于对应的存储电路的在先优先级的存储电路的有效信息和故障信息，生成表示对应的存储电路是否可操作的使能信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年03月09日提交的韩国专利申请No.10-2020-0029088的优先权，其通过整体引用并入本文。

技术领域

本发明的各个实施例涉及一种存储器设备，更具体地涉及一种包括修复电路的存储器设备，所述修复电路通过存储修复地址来执行修复操作。

背景技术

存储器设备可以包括多个存储器单元，该多个存储器单元在存储器单元阵列中以矩阵形式排列。存储器设备的存储器容量的增加以及精细化处理技术的进步，可能会增加在多个存储器单元中缺陷的出现。换句话说，尽管制造工艺有所发展，单由于数千万或更多的存储器单元被高度集成在一个芯片中，所以有缺陷的存储器单元的存在概率也在不断提高。即使在多个存储器单元中仅有一个有缺陷的存储器单元，存储器设备也可能不会正确运行，并且因此该存储器单元可能必须作为有缺陷的存储器设备而被丢弃。

为了改善存储器设备的产量同时实现存储器设备的高集成和高速度，可以使用一种有效修复有缺陷的存储器单元的方法。例如，存储器设备可以包括冗余存储器单元，并且利用该冗余存储器单元替换有缺陷的存储器单元。

为此，存储器设备被提供有熔线(fuse)电路，该熔线电路能够对对应于有缺陷的存储器单元的修复地址进行编程。例如，可以使用激光熔线，该激光熔线根据其是否被切断而存储逻辑“高”数据或逻辑“低”数据。然而，该激光熔线可以在晶片阶段进行编程，但是该激光熔线在晶片被安装在封装上之后就无法被编程。因此，有必要研发一种用于对修复地址进行编程并且修复有缺陷的存储器单元的技术，该编程不仅在存储器设备的晶片阶段之后进行，而且还在生产过程之后进行。

发明内容

本发明的实施例针对一种存储器设备，该存储器设备能够存储修复地址并且检查所存储的地址是否被使用。

根据本发明的实施例，一种修复电路包括：多个存储电路，多个存储电路适用于根据优先级顺序存储修复地址，多个存储电路中的每个存储电路存储：表示对应的存储电路是否有效的有效信息，以及表示对应的存储电路是否有缺陷的故障信息；以及多个使能信号生成电路，多个使能信号生成电路分别对应于多个存储电路，并且每个使能信号生成电路适用于基于对应的存储电路、以及具有优先于对应的存储电路的在先优先级的存储电路的有效信息和故障信息，来生成表示对应的存储电路是否可操作的使能信号。

根据本发明的实施例，一种存储器设备包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括耦合在多个字线和位线之间的多个存储器单元；多个存储电路，每个存储电路适用于存储电路的修复地址以及表示修复地址是否被存储在对应的存储电路中的有效信息；以及多个使能信号生成电路，分别对应于多个存储电路，并且每个使能信号生成电路适用于生成表示对应的存储电路是否可操作的使能信号，其中每个使能信号生成电路基于对应的存储电路的有效信息，以及表示存储电路中的、除对应的存储电路以外的至少一个存储电路是否可操作的使能信号，生成针对对应的存储电路的有效信号。