[发明专利]加速蒙卡临界计算的裂变源外推方法有效

专利信息
申请号: 202110001804.3 申请日: 2021-01-04
公开(公告)号: CN112685905B 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 潘清泉;孙启政;张滕飞;刘晓晶 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F111/08
代理公司: 上海交达专利事务所 31201 代理人: 王毓理;王锡麟
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 加速 临界 计算 裂变 源外推 方法
【权利要求书】:

1.一种加速蒙卡临界计算的裂变源外推方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1:为蒙特卡罗临界计算设定一个初始裂变源,根据该初始裂变源可进行中子输运模拟,统计裂变源在空间上的分布;在经过n次迭代后,裂变源中子通量密度与实际裂变源的偏差预估为εn~σn·ε0,其中:ε0为初始的裂变源偏差,n为迭代次数,F为迭代算子,L、C、S和M分别为泄漏项、吸收项、散射项以及裂变项,keff为有效增殖因数,系统的占优比k0和k1为迭代算子F的最大特征值和次大特征值;

步骤2:基于裂变源会逐渐收敛到真实解的设定,源外推方法在迭代的过程中,通过下式对裂变源进行外推计算:其中:为在第n次迭代的裂变源;Sn为第n次迭代的外推裂变源;ωn为第n次迭代的源外推系数,ωn=a·n+b,迭代次数n=1、2、3…;a、b为待定系数;

步骤3:将整个计算模型划分为K个裂变区域,采用步骤1和2得到的源外推系数ωn计算裂变中子数目,具体为:其中:为外推之前的第k个区域第i个计算代的裂变中子数目;为外推之后的第k个区域第i个计算代的裂变中子数目;第k个区域第i个计算代的倍增因子化简后得到从而计算划分的每个区域内的倍增因子,并进一步调整裂变源的分布,最终实现裂变源分布的快速收敛;

所述的代数为T/2,其中T为直接模拟法所需非活跃代数,得到的待定系数分别为

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