[发明专利]有机电致发光装置和电子设备有效
申请号: | 202110001853.7 | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN113078272B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 深川刚史 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H10K50/844 | 分类号: | H10K50/844;H10K71/00;H10K59/12 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 邓毅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 装置 电子设备 | ||
有机电致发光装置和电子设备,质量可靠性优异。有机电致发光装置具有:有机电致发光元件;以及保护层,其保护所述有机电致发光元件,所述保护层具有第1绝缘膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜、第4绝缘膜和第5绝缘膜,所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜各自包含无机材料,所述第1绝缘膜的密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度低。
技术领域
本发明涉及有机电致发光装置和电子设备。
背景技术
已知具备有机EL元件的有机EL(电致发光)装置。有机EL装置例如被用作显示图像的有机EL显示器。
专利文献1所记载的有机EL装置具备有机EL元件和覆盖有机EL元件的保护膜。该保护膜具有防止水分侵入有机EL元件的功能。该保护膜是由3个膜构成的层叠膜。具体而言,层叠膜例如包含由氮化硅膜构成的第1绝缘膜、由氧化铝膜构成的第2绝缘膜、以及由氮化硅膜构成的第3绝缘膜。第1绝缘膜和第3绝缘膜分别通过CVD法(化学气相生长法)形成。第2绝缘膜通过ALD法(原子层沉积法)形成。此外,第2绝缘膜为了填埋形成于第1绝缘膜的针孔而形成。
专利文献1:日本特开2018-28996号公报
但是,由于专利文献1所记载的第3绝缘膜与第1绝缘膜为相同结构,因此例如,在有机EL元件的表面存在阶梯差时,由于该阶梯差的影响,不仅在第1绝缘膜中,在第3绝缘膜中也容易产生缺陷。因此,保护膜的密封性能受损,其结果,有机EL元件有可能劣化。因此,存在有机EL装置的质量可靠性下降的问题。
发明内容
本发明的有机电致发光装置的一个方式具有:有机电致发光元件;以及保护层,其保护所述有机电致发光元件,所述保护层具有第1绝缘膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜、第4绝缘膜和第5绝缘膜,在远离所述有机电致发光元件的方向上,按照所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜的顺序进行配置,所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜各自包含无机材料,所述第1绝缘膜的密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度低。
本发明的电子设备的一个方式具有:所述有机电致发光装置;以及控制部,其对所述有机电致发光装置的动作进行控制。
本发明的有机电致发光装置的制造方法的一个方式包含以下工序:在基板上形成有机电致发光元件;通过使用了等离子体的化学气相沉积法,在所述有机电致发光元件上形成第1绝缘膜;通过使用了等离子体的原子层沉积法,在所述第1绝缘膜上形成第2绝缘膜;通过使用了等离子体的化学气相沉积法,在所述第2绝缘膜上形成第3绝缘膜;通过使用了等离子体的原子层沉积法,在所述第3绝缘膜上形成第4绝缘膜;以及通过使用了等离子体的化学气相沉积法,在所述第4绝缘膜上形成第5绝缘膜,所述第1绝缘膜的密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度低。
附图说明
图1是表示第1实施方式中的有机EL装置的平面图。
图2是图1所示的子像素的等效电路图。
图3是表示图1所示的A-A线剖面的图。
图4是用于说明图1所示的保护层的功能的剖视图。
图5是表示变更了图1所示的保护层所具有的第1绝缘膜的厚度的例子的图。
图6是表示透过了图1所示的保护层的光的光谱的图。
图7是表示透过了图1所示的保护层的光的光谱的图。
图8是第1实施方式中的有机EL装置的制造方法的流程。
图9是用于说明保护层形成工序的图。
图10是用于说明保护层形成工序的图。
图11是用于说明保护层形成工序的图。
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