[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110002076.8 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112838093A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吴保润;沈保家;李军辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;马陆娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其中，包括：
形成沟道孔；向所述沟道孔内充入氢气，至少使所述沟道孔的底部浸透在氢气中；
向所述沟道孔内充入氧气；以及
对所述沟道孔中进行氧化反应进而形成阻挡介质层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，对所述沟道孔的内壁进行氧化反应进而形成阻挡介质层的步骤包括：
在温度为600℃-850℃、压强为2Torr～4Torr的环境下氧化，其中，参与氧化的氢气和氧气的总气体流量为3SLM～5SLM。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述氢气占总气体体积的5％～10％。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述氢气扩散至整个所述沟道孔。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，形成沟道孔的步骤包括：
在衬底表面形成叠层结构；
形成贯穿所述叠层结构并到达所述衬底表面的沟槽；
在所述沟槽侧壁及底部形成待氧化层。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，所述叠层结构为绝缘叠层，所述绝缘叠层包括依次堆叠的绝缘介质层和牺牲层，所述牺牲层和所述待氧化层的材料均为氮化硅。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述阻挡介质层至少贴覆于所述沟道孔的内壁上。
8.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，还包括：
去除位于沟道孔底部的部分阻挡介质层；
沿所述沟道孔在所述衬底中形成外延层；
在所述沟道孔中的所述阻挡介质层表面依次形成电荷存储层、隧穿介质层、以及沟道层，其中，所述沟道层与所述外延层至少部分接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
