[发明专利]用于形成三维集成芯片的方法和多维集成芯片结构

权利要求书

1.一种用于形成多维集成芯片结构的方法，包括：

将第二衬底接合至第一衬底的上表面；

实施第一边缘修整切割，沿第一环路并且延伸至所述第二衬底的第一外围部分中；

实施第二边缘修整切割，沿第二环路并且延伸至所述第二衬底的第二外围部分并且延伸至所述第一衬底中；以及

实施第三边缘修整切割，沿第三环路并且延伸至所述第一衬底的第三外围部分中。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在实施所述第三边缘修整切割之后，至少去除所述第二衬底的部分，其中，至少去除所述第二衬底的部分使得所述第二衬底具有在所述第二衬底的最外侧壁之间延伸的平坦的上表面。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在实施所述第三边缘修整切割之后，至少去除所述第二衬底的部分，其中，至少去除所述第二衬底的部分使得所述第二衬底具有第一上表面和第二上表面，其中，所述第一上表面和所述第一衬底之间的第一距离大于所述第二上表面和所述第一衬底之间的第二距离。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一环路是连续并且闭合的环路。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在实施所述第一边缘修整切割之前，减薄所述第二衬底。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中，实施所述第一边缘修整切割包括：绕延伸穿过所述第一刀片的中心的第一轴在第一圆周方向上旋转第一刀片，使所述第一刀片与所述第二衬底接触，以及绕延伸穿过所述第二衬底的中心的第二轴在第二圆周方向上旋转所述第二衬底；以及

其中，实施所述第二边缘修整切割包括：绕延伸穿过所述第二刀片的中心的第三轴在所述第一圆周方向上旋转第二刀片，使所述第二刀片与所述第二衬底接触，以及绕所述第二轴在与所述第二圆周方向相反的第三圆周方向上旋转所述第二衬底。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述第一边缘修整切割包括：

绕延伸穿过所述第一刀片的中心的第一轴旋转第一刀片；

使所述第一刀片与所述第二衬底接触；以及

旋转所述第二衬底，使得所述第一刀片在所述第一轴和所述第二衬底之间在与所述第二衬底相同的方向上行进。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，实施所述第二边缘修整切割包括：

绕延伸穿过所述第二刀片的中心的第二轴旋转第二刀片；

使所述第二刀片与所述第二衬底接触；以及

旋转所述第二衬底，使得所述第二刀片在所述第二轴和所述第二衬底之间在与所述第二衬底相反的方向上行进。

9.一种用于形成三维集成芯片的方法，包括：

将第二半导体晶圆的下表面接合至第一半导体晶圆的上表面；

将第三半导体晶圆的下表面接合至所述第二半导体晶圆的上表面；

绕所述第三半导体晶圆的第一外围部分实施第一类型的边缘修整切割；

绕所述第三半导体晶圆的第二外围部分、绕所述第二半导体晶圆的第三外围部分以及绕所述第一半导体晶圆的第四外围部分周围实施第二类型的边缘修整切割，其中，所述第二类型的边缘修整切割与所述第一类型的边缘修整切割不同；以及

绕所述第一半导体晶圆的第五外围部分实施第三类型的边缘修整切割。

10.一种多维集成芯片结构，包括：

第一衬底，包括第一上表面和位于所述第一上表面之上的第二上表面，其中，所述第一上表面的第一最外周界大于所述第二上表面的第二最外周界；以及

第二衬底，位于所述第一衬底上方，其中，第二衬底包括位于所述第二上表面之上的第三上表面，并且其中，所述第三上表面的第三最外周界小于所述第二上表面的第二最外周界。