[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法

说明书

本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。外延层的第一表面上分布的键合金属键合在发光设备的基板，第二表面为出光面。在外延层的第二表面上开有网状隔离沟槽，每个键合金属在第二表面的投影均对应位于一个网状隔离沟槽的网目内。在第二表面位于网状隔离沟槽之间的部分出光。采用不透光材料制备的第一隔离层位于网状隔离沟槽内且填满网状隔离沟槽，保证被网状隔离沟槽及第一隔离层隔开的第二表面的两个部分在出光时，出现光线干涉或者混光的情况较少。应用至发光设备时，第一隔离层同样可以起到避免光线干涉或混光的情况，起到提高发光二极管外延片所应用的发光设备的分辨率的作用。

技术领域

本发明涉及发光二极管制作领域，特别涉及发光二极管外延片及其制备方法。

背景技术

发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高外延片发光效率是发光二极管不断追求的目标。

发光二极管在应用到一些发光设备时，常需要多个发光二极管布置在同一基板上共同发光，单独的发光二极管则作为像素点。此时如果相邻的两个发光二极管之间距离过近，容易出现相邻的两个发光二极管之间相互干涉、混光的情况，影响发光设备的分辨率。

发明内容

本公开实施例提供了发光二极管外延片及其制备方法，能够提高发光二极管外延片所应用的发光设备的分辨率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括外延层、多个键合金属与第一隔离层，所述外延层包括相互平行且相反的第一表面与第二表面，所述多个键合金属均匀分布在所述第一表面，

所述外延层具有网状隔离沟槽，所述网状隔离沟槽位于所述第二表面，每个所述键合金属在所述第二表面的投影均对应位于一个所述网状隔离沟槽的网目内，

所述第一隔离层位于所述网状隔离沟槽内，且所述第一隔离层填满所述网状隔离沟槽，所述第一隔离层采用不透光材料制备。

可选地，所述网状隔离沟槽的深度为0.2～5μm。

可选地，所述网状隔离沟槽与所述外延层的发光层的最小距离为0.2～5μm。

可选地，所述网状隔离沟槽包括多个并列的第一条形槽与多个并列的第二条形槽，每个所述第一条形槽均与所述多个第二条形槽相交且连通，所述第一条形槽的宽度为2～50μm。

可选地，所述发光二极管外延片还包括第二隔离层，所述第二隔离层采用不透光材料制备，所述第二隔离层为网状，且所述第二隔离层对应覆盖所述第一隔离层的表面。

可选地，所述网状隔离沟槽在第二表面的投影，位于所述第二隔离层在所述第二表面的投影内。

可选地，所述第二隔离层的厚度为0.2～2μm。

可选地，所述第一隔离层的材料为金属或氮化硅。

本公开实施例提供了一种发光二极管外延片制备方法，所述发光二极管外延片及其制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长外延层；

将所述外延层由所述衬底上剥离，所述外延层具有相互平行且相反的第一表面与第二表面；

在所述第一表面上生长多个键合金属；

在所述第二表面上制备网状隔离沟槽，所述网状隔离沟槽位于所述第二表面，每个所述键合金属在所述第二表面的投影均对应位于一个所述网状隔离沟槽的网目内；

在所述网状隔离沟槽内生长第一隔离层，所述第一隔离层采用不透光材料制备且填满所述网状隔离沟槽。