[发明专利]一种单晶生长的坩埚和方法

权利要求书

1.一种单晶生长的坩埚，其特征在于，包括保温结构(1)，置于所述保温结构(1)内部的加热坩埚(2)，置于所述加热坩埚(2)内部的生长坩埚(3)；所述保温结构(1)与加热坩埚(2)底部相接触，所述生长坩埚(3)底部边缘部分与加热坩埚(2)底部相接触；

所述保温结构(1)包括保温结构本体(1-1)和与保温结构本体相匹配的保温结构盖(1-2)；所述加热坩埚(2)包括加热坩埚本体(2-1)和与加热坩埚本体相匹配的加热坩埚盖(2-2)；所述生长坩埚(3)包括生长坩埚本体(3-1)和与生长坩埚本体相匹配的生长坩埚盖(3-2)；

所述保温结构(1)和加热坩埚(2)的侧壁之间、所述加热坩埚(2)和生长坩埚(3)的侧壁之间有空隙，分别为第一空隙(A)和第二空隙(B)；

所述保温结构本体(1-1)的底部中心和加热坩埚本体(2-1)的底部中心设有通气孔(E)；

所述生长坩埚本体(3-1)的底部中央区域与加热坩埚本体(2-1)的底部之间有第三空隙(C)；

所述加热坩埚本体(2-1)的底部设置通气管道(D)连通所述第二空隙(B)和第三空隙(C)；所述通气孔(E)、第三空隙(C)和通气管道(D)连通；

所述保温结构盖(1-2)的中央设置通气孔(G)；

所述加热坩埚盖(2-2)上设置有通气孔(F)；

所述保温结构、加热坩埚和生长坩埚同轴设置。

2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述第一空隙(A)的宽度为1～20mm；所述第二空隙(B)的宽度为10～30mm；所述第三空隙(C)的宽度为10～30mm。

3.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述生长坩埚盖(3-2)的内顶部设置有籽晶区(3-2-1)和导流筒(3-2-2)；所述籽晶区(3-2-1)位于所述生长坩埚盖(3-2)的内顶部中央。

4.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述单晶生长的坩埚还包括抽气系统(4)；所述抽气系统(4)、第一空隙(A)和通气孔(G)形成一条气体通路；所述抽气系统(4)与通气孔(G)、通气孔(F)、第二空隙(B)、通气管道(D)、第三空隙(C)和通气孔(E)形成一条气体通路。

5.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述保温结构(1)的材质为石墨纤维、钨或钽。

6.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述加热坩埚(2)和生长坩埚(3)的材质独立地为等静压石墨、钨或钽。

7.一种单晶生长的方法，其特征在于，利用权利要求1～6任一项所述的单晶生长的坩埚进行生长，包括以下步骤：

将单晶物料置于生长坩埚的底部，并在生长坩埚的籽晶区放置籽晶；

将抽气系统与空隙、通气管道和通气孔连通；

开启抽气系统，对加热坩埚进行加热，进行单晶生长。