[发明专利]显示面板、阵列基板及其制备方法在审
申请号: | 202110003053.9 | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN112820740A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 戴星强 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
薄膜晶体管层,设于所述基板上;
绝缘纳米颗粒层,设于所述基板上且覆盖所述薄膜晶体管层;以及
有机聚合物层,层叠设置于所述绝缘纳米颗粒层远离所述薄膜晶体管层的一侧,且覆盖所述绝缘纳米颗粒层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述绝缘纳米颗粒层与所述有机聚合物层之间形成有化学键。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述有机聚合物层所用材料为聚苯乙烯衍生物,所述聚苯乙烯衍生物包括聚苯乙烯主链结构以及连接于所述聚苯乙烯主链结构的一羧基结构,所述绝缘纳米颗粒层为氧化物纳米颗粒,所述羧基结构与所述氧化物纳米颗粒之间形成氢键。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
一无机层,设于所述薄膜晶体管层背离所述绝缘纳米颗粒层的一侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述绝缘纳米颗粒层与所述无机层所用材料相同。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述绝缘纳米颗粒层和所述无机层所用材料均为SiO2,所述绝缘纳米颗粒层中的SiO2纳米颗粒与所述无机层中的SiO2形成硅氧键。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述绝缘纳米颗粒层与所述无机层所用材料均为氧化硅或者沸石;和/或
所述绝缘纳米颗粒层的纳米颗粒尺寸为20nm-80nm。
8.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一基板;
形成一薄膜晶体管层于所述基板上;
提供一混合溶液,获取以下组分:绝缘纳米颗粒、有机聚合物以及溶剂;
涂布所述混合溶液于所述基板和所述薄膜晶体管层上,形成未固化的混合膜层;
对所述未固化的混合膜层进行加热退火处理,形成固化的绝缘纳米颗粒层以及有机聚合物层,所述绝缘纳米颗粒层设于所述基板上且覆盖所述薄膜晶体管层,所述有机聚合物层层叠设置于所述绝缘纳米颗粒层远离所述薄膜晶体管层的一侧,且覆盖所述绝缘纳米颗粒层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,对所述未固化的混合膜层进行加热退火处理的步骤包括:加热所述未固化的混合膜层至熔融状态,并冷却所述熔融状态的混合膜层以形成层状相分离保护层,所述层状相分离保护层包括绝缘纳米颗粒层以及有机聚合物层。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述有机聚合物层所用材料为聚苯乙烯衍生物,所述聚苯乙烯衍生物包括聚苯乙烯主链结构以及连接于所述聚苯乙烯主链结构的一羧基结构,所述绝缘纳米颗粒层为氧化物纳米颗粒;
所述冷却所述熔融状态的混合膜层以形成层状相分离保护层的步骤包括:在所述羧基结构与所述氧化物纳米颗粒之间形成氢键。
11.一种显示面板,其特征在于,包括:
如权利要求1-7中任一项所述的阵列基板;以及
彩膜基板,与所述阵列基板相对设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的