[发明专利]一种基于I-LSTM的短期用电量预测方法有效
申请号: | 202110003286.9 | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN112633604B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 余翔;王潇潇;庞育才;段思睿 | 申请(专利权)人: | 重庆邮电大学 |
主分类号: | G06Q10/04 | 分类号: | G06Q10/04;G06N3/04;G06N3/08;G06Q50/06 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 400065 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 lstm 短期 用电量 预测 方法 | ||
1.一种基于I-LSTM的短期用电量预测方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
S1:收集电力系统的历史数据,并处理不完整数据和异常值;利用异常值前一天和后一天同时间值的平均值替代异常值;
S2:根据时间将数据划分为训练集、验证集和测试集;
S3:构建混合长短记忆网络I-LSTM模型,并将训练集输入I-LSTM网络模型进行训练;其中I-LSTM是周期性LSTM和LSTM的组合;
S4:设置I-LSTM网络模型的网络损失函数、优化算法、学习速率和batchsize;
S5:预测测试集,根据验证集准确变化情况得到的模型,得到测试集的预测结果;
步骤S3中,构建的I-LSTM网络模型具体包括:将数据分别通过LSTM和周期性LSTM,然后将输出的两种数据进行全连接,从而得到最终时刻的预测值;
所述周期性LSTM的结构表达式为:
其中,ftj为第j个候选细胞用的遗忘门,代表记忆细胞被遗忘的程度;为输入门,代表新记忆细胞内容被添加到记忆细胞单元的程度;为第j个候选细胞用来更新记忆;为控制单元,代表第j个LSTM单元在t时刻保持的记忆;是输出门;p表示所用数据的周期值,σ表示sigmoid激活函数,tanh表示激活函数,xt是二维数据;Wi、Wf、Wc、Wo为权重系数;bi、bf、bc、bo为偏置项;
I-LSTM网络模型的预测值为:
其中,为LSTM和周期性LSTM的全连接输出,为LSTM第t时刻的输出,为周期性LSTM的所有p时刻的输出值,p表示所用数据的周期值;WR和Wis为权重系数。
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