[发明专利]AlGaInP发光二极管的外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种AlGaInP发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括：

GaAs衬底和外延层，所述外延层包括依次层叠在所述GaAs衬底上的缓冲层、分布式布拉格反射镜DBR层、N型AlInP限制层、多量子阱MQW发光层、P型AlInP限制层和P型GaP扩展层，

DBR层包括多个周期性交替层叠的AlGaAs层和AlAs层，沿所述外延层的层叠方向，所述DBR层的最后一个层为AlGaAs层，所述DBR层的最后一个层中Al组分含量低于所述N型AlInP限制层中Al组分含量，所述N型AlInP限制层中A1组分含量为0.51，所述DBR层的最后一个层中A1组分含量为0.45；

所述外延层还包括插入层，所述插入层位于所述DBR层的最后一个层和所述N型AlInP限制层之间，所述插入层为AlAs层或AlGaInP层，所述插入层的禁带宽度介于所述DBR层的最后一个层的禁带宽度和所述N型AlInP限制层的禁带宽度之间。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述N型AlInP限制层中Al组分含量为0.51，所述DBR层的最后一个层中Al组分含量为0.45。

3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，当所述插入层为AlGaInP层时，所述插入层为(Al_xGa_1-x)_0.51In_0.49P层，0.15≤x≤0.85。

4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，当所述插入层为AlGaInP层时，所述插入层中N型掺杂浓度与所述N型AlInP限制层中N型掺杂浓度相同，所述N型AlInP限制层中N型掺杂浓度低于所述DBR层中N型掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，当所述插入层为AlAs层时，所述插入层中N型掺杂浓度与所述DBR层中N型掺杂浓度相同，所述N型AlInP限制层中N型掺杂浓度低于所述DBR层中N型掺杂浓度。

6.一种AlGaInP发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供GaAs衬底；

在所述GaAs衬底上生长外延层，所述外延层包括依次层叠在所述GaAs衬底上的缓冲层、分布式布拉格反射镜DBR层、N型AlInP限制层、多量子阱MQW发光层、P型AlInP限制层和P型GaP扩展层，

DBR层包括多个周期性交替层叠的AlGaAs层和AlAs层，沿所述外延层的层叠方向，所述DBR层的最后一个层为AlGaAs层，所述DBR层的最后一个层中Al组分含量低于所述N型AlInP限制层中Al组分含量，所述N型AlInP限制层中A1组分含量为0.51,所述DBR层的最后一个层中A1组分含量为0.45；

所述外延层还包括插入层，所述插入层位于所述DBR层的最后一个层和所述N型AlInP限制层之间，所述插入层为AlAs层或AlGaInP层，所述插入层的禁带宽度介于所述DBR层的最后一个层的禁带宽度和所述N型AlInP限制层的禁带宽度之间。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述N型AlInP限制层中Al组分含量为0.51，所述DBR层的最后一个层中Al组分含量为0.45。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，当所述插入层为AlGaInP层时，所述插入层为(Al_xGa_1-x)_0.51In_0.49P层，0.15≤x≤0.85。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在生长所述(Al_xGa_1-x)_0.51In_0.49P层时，将x从0.15线性增大至0.85。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述(Al_xGa_1-x)_0.51In_0.49P层的生长温度为650-670℃，生长速率为0.4-0.6nm/s。