[发明专利]三维存储器及其控制方法

权利要求书

1.一种三维存储器的控制方法，所述三维存储器包括具有多个存储块的存储单元阵列，每个所述存储块包括多条字线以及与每条所述字线相连接的多个存储单元，所述方法包括：

在编程操作中，选择一个存储块中的至少一条字线作为目标字线，向所述目标字线对应的目标存储单元中写入预定数据；

在读操作中，利用多个读取电压组分别读取所述目标字线以外的非目标字线对应的非目标存储单元，以确定所述非目标存储单元的最优读取电压组，同时记录所述目标存储单元的阈值电压分布的漂移量，建立所述最优读取电压组和所述漂移量的对应关系，其中，每个所述读取电压组中包括针对所述非目标存储单元的多个编程态的多个读取电压；以及

利用第一读取电压读取所述目标存储单元中的所述预定数据，记录所述目标存储单元的阈值电压分布的漂移量，根据所述最优读取电压组和所述漂移量的对应关系确定所述存储单元阵列的最优读取电压组。

2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，记录所述目标存储单元的阈值电压分布的漂移量的步骤包括：记录所述目标存储单元中阈值电压小于所述目标存储单元的读取电压的存储单元的个数。

3.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，还包括：将所述最优读取电压组和所述漂移量的对应关系记录在所述三维存储器的配置模块中。

4.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一读取电压是所述目标存储单元的阈值电压的下边界。

5.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一读取电压是所述目标存储单元中最高编程态的阈值电压的下边界。

6.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，还包括：通过所述多条字线逐层对处于同一单元深度的存储单元执行所述编程操作。

7.一种三维存储器，包括：

具有多个存储块的存储单元阵列，每个所述存储块包括多条字线以及与每条所述字线相连接的多个存储单元；

控制器，配置为：在编程操作中，选择一个存储块中的至少一条字线作为目标字线，向所述目标字线对应的目标存储单元中写入预定数据；

在读操作中，利用多个读取电压组分别读取所述目标字线以外的非目标字线对应的非目标存储单元，以确定所述非目标存储单元的最优读取电压组，同时记录所述目标存储单元的阈值电压分布的漂移量，建立所述最优读取电压组和所述漂移量的对应关系，其中，每个所述读取电压组中包括针对所述非目标存储单元的多个编程态的多个读取电压；以及

利用第一读取电压读取所述目标存储单元中的所述预定数据，记录所述目标存储单元的阈值电压分布的漂移量，根据所述最优读取电压组和所述漂移量的对应关系确定所述存储单元阵列的最优读取电压组。

8.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述控制器还配置为：将所述目标存储单元中阈值电压小于所述目标存储单元的读取电压的存储单元的个数作为所述漂移量。

9.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，还包括配置模块，所述控制器还配置为：将所述最优读取电压组和所述漂移量的对应关系记录在所述配置模块中。

10.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述第一读取电压是所述目标存储单元的阈值电压的下边界。

11.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述第一读取电压是所述目标存储单元中最高编程态的阈值电压的下边界。

12.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述控制器还配置为：通过所述多条字线逐层对处于同一单元深度的存储单元执行所述编程操作。

13.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述存储单元中的每一个是多级单元。

14.如权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器是3D NAND闪存。