[发明专利]一种氧化铈颗粒的制备方法

权利要求书

1.一种氧化铈颗粒的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：氧化铈颗粒的前驱体材料经固体生成步骤制得二氧化铈粉末，将所述二氧化铈粉末与水混合，研磨，得含所述氧化铈颗粒的浆料，

所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第一颗粒尺寸为200-500μm，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第一颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的前驱体材料的颗粒累计分布为1％的粒径，所述氧化铈颗粒的拉曼光谱包含在458cm^-1处的峰和583cm^-1处的峰，且其中在458cm^-1处的峰的强度与在583cm^-1处的峰的强度的比率为峰比率，所述氧化铈颗粒的峰比率为70-90。

2.如权利要求1所述的氧化铈颗粒的制备方法，其特征在于，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第一颗粒尺寸为220-450μm；

和/或，所述氧化铈颗粒的峰比率为75-90；

和/或，使用532nm激光收集所述氧化铈颗粒的拉曼光谱；

和/或，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第二颗粒尺寸为30-180μm；所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第二颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的前驱体材料的颗粒累计分布为50％的粒径；

和/或，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第三颗粒尺寸为0.5-3.5μm；所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第三颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的前驱体材料的颗粒累计分布为99％的粒径；

和/或，所述氧化铈颗粒的颗粒尺寸为20-60nm；所述氧化铈颗粒的颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的颗粒累计分布为90％的粒径；

和/或，所述氧化铈颗粒的前驱体材料包含碳酸铈；

和/或，所述氧化铈颗粒为非湿法工艺制得。

3.如权利要求1所述的氧化铈颗粒的制备方法，其特征在于，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第一颗粒尺寸为226μm、289μm、330μm或410μm；

和/或，所述氧化铈颗粒的峰比率为79、83、85或88；

和/或，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第二颗粒尺寸为60-180μm，例如为98μm、110μm、120μm或176μm；所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第二颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的前驱体材料的颗粒累计分布为50％的粒径；

和/或，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第三颗粒尺寸为1-2.5μm，例如为1.5μm、1.9μm、2.2μm或2.3μm；所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第三颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的前驱体材料的颗粒累计分布为99％的粒径；

和/或，所述氧化铈颗粒的颗粒尺寸为40-60nm，例如为42nm、45nm、50nm或55nm；所述氧化铈颗粒的颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的颗粒尺寸是所述氧化铈颗粒的颗粒累计分布为90％的粒径。

4.如权利要求1所述的氧化铈颗粒的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在所述固体生成步骤之前对所述氧化铈颗粒的前驱体材料的预处理步骤，例如所述预处理步骤包括对所述氧化铈颗粒的前驱体材料进行干燥；

和/或，所述混合为在高速旋转的混合器中混合；

和/或，所述水为去离子水；

和/或，所述二氧化铈粉末与所述水的质量比为1:(9-49)，例如为1:9；

和/或，所述研磨采用干式研磨机。

5.如权利要求1所述的氧化铈颗粒的制备方法，其特征在于，所述固体生成步骤包括煅烧，较佳地，所述煅烧的温度为500-1000℃，例如为800℃、780℃、750℃、650℃或600℃。

6.如权利要求5所述的氧化铈颗粒的制备方法，其特征在于，所述煅烧包含一个或多个步骤，例如所述煅烧为单步骤煅烧、二步骤煅烧或三步骤煅烧，再例如为单步骤煅烧。