[发明专利]一种蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电改善方法及肖特基二极管

权利要求书

1.一种蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电改善方法，其特征在于，在蓝宝石基GaN样品上制备光刻胶腌膜；然后采用感应耦合等离子干法刻蚀工艺在制备有光刻胶腌膜的蓝宝石基GaN样品上进行刻蚀操作，直到刻蚀到n⁺GaN层；再对刻蚀后的蓝宝石基GaN样品进行低温快速热退火处理；然后采用光刻和电子束工艺在快速热退火处理后的蓝宝石基GaN样品上蒸镀Ti/Al/Ni/Au金属层；再进行高温快速热退火处理形成相应的欧姆接触；采用电子束进行Ni/Au肖特基接触制备。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，制备光刻胶腌膜前，先依次用丙酮、异丙醇、去离子水对蓝宝石基GaN样品进行清洗。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，台面刻蚀所需的光刻胶腌膜厚度大于等于刻蚀的台面深度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，光刻胶腌膜的厚度为6～7μm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，低温快速热退火处理在Ar环境下进行，时间为5～20min，温度为400～500℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蒸镀Ti/Al/Ni/Au金属层的厚度为280～400nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蒸镀Ti/Al/Ni/Au金属层后，高温快速热退火处理在Ar环境下进行，温度为750～850℃，时间为20～30s。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，肖特基阳极金属为Ni/Au。

9.根据权利要求1至8中任一项所述方法制备的肖特基二极管。

10.根据权利要求9所述的肖特基二极管，其特征在于，势垒高度为0.908～0.92eV，理想因子为1.052～1.08。