[发明专利]三维存储器及其制作工艺

权利要求书

1.一种三维存储器的制作工艺，其特征在于，所述制作工艺包括：

提供具有堆叠结构的衬底，所述堆叠结构包括依次交替设置的牺牲层和隔离层；

对所述堆叠结构进行刻蚀，形成贯穿至所述衬底的沟道通孔；

在所述沟道通孔的侧壁上形成高K介质层；

在所述高K介质层上形成存储结构和介电填充层；

对所述堆叠结构进行刻蚀形成凹槽，并依次去除所述隔离层和所述高K介质层接触所述隔离层的部分；

在被去除的所述隔离层和所述高K介质层的位置形成栅绝缘层，所述栅绝缘层内具有空气隙；

去除所述牺牲层形成栅线缝隙；以及

在所述栅线缝隙填充导电材料形成栅极层。

2.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，在所述高K介质层上形成存储结构的过程包括：在所述沟道通孔中依次设置阻挡介质层、存储介质层、隧穿氧化层、沟道层。

3.根据权利要求2所述的制作工艺，其特征在于，所述形成栅绝缘层的步骤包括：

去除所述阻挡介质层的裸露部分以使对应的所述存储介质层裸露；

对裸露的所述牺牲层表面以及裸露的所述存储介质层表面氧化形成第一氧化层；

在所述第一氧化层上填充氧化物形成栅绝缘层，所述栅绝缘层内具有空气隙。

4.根据权利要求3所述的制作工艺，其特征在于，在所述第一氧化层上填充氧化物形成栅绝缘层的步骤包括：

在所述第一氧化层以及所述凹槽中填充氧化物形成第二氧化层；

对所述第二氧化层进行回刻以使所述牺牲层裸露，剩余的所述第二氧化层构成所述栅绝缘层。

5.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述形成高K介质层的步骤中采用氧化铝、氧化锆、氧化铪中的任意一种或多种形成所述高K介质层。

6.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述形成栅极层的步骤包括：

在所述栅线缝隙的侧壁上依次设置粘附材料和导电材料；

对所述粘附材料和所述导电材料进行回刻以使所述栅绝缘层裸露，剩余的所述粘附材料和所述导电材料形成所述栅极层。

7.根据权利要求6所述的制作工艺，其特征在于，所述粘附材料选自Ti、TiN、Ta和TaN中的任意一种或多种的组合。

8.根据权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述制作工艺还包括在所述凹槽中依次设置绝缘层和共源极柱的过程。