[发明专利]氮极性面GaN材料及其制作方法在审
| 申请号： | 202110005849.8 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN112735944A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;孙志鹏;李蓝星;杨雪妍;姚佳佳;张赫朋;刘芳;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/778 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 极性 gan 材料 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮极性面GaN材料，自下而上，包括衬底、成核层和GaN外延层，其特征在于：所述成核层采用ScN，其厚度为10nm-100nm。
2.如权利要求1所述的材料，其特征在于：所述成核层和GaN外延层采用分子束外延技术生长。
3.如权利要求1所述的材料，其特征在于：所述衬底采用蓝宝石材料、Si材料和SiC材料中的任意一种材料。
4.一种氮极性面GaN材料的其制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在衬底基片上，利用分子束外延方法在温度为650℃-720℃，氮气流量为2.3sccm，钪束流平衡蒸气压为2.0×10-8Torr-3.0×10-8Torr，氮气射频源功率为375W的条件下生长10nm-100nm的ScN成核层；
2)用分子束外延方法，在温度为650℃-720℃，氮气流量为2.3sccm，镓束流平衡蒸气压为5.0×10-7Torr-8.0×10-7Torr，氮气射频源功率为375W的工艺条件下，在ScN成核层上生长GaN外延层，完成材料制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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