[发明专利]半导体器件的防御电路和包括该防御电路的半导体器件在审
申请号: | 202110006177.2 | 申请日: | 2021-01-05 |
公开(公告)号: | CN113161342A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 林哲焕;金光镐;许栋勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 防御 电路 包括 | ||
1.一种半导体器件,包括:
感测电路,包括配置为响应于外部入射光产生第一电流的第一半导体元件;
补偿电路,包括配置为产生取决于环境温度的第二电流的第二半导体元件,其中所述补偿电路配置为从所述第一电流去除所述第二电流以产生第三电流;
检测电路,配置为将所述第三电流转换为光电压并将所述光电压与预定的参考电压比较以确定是否已经发生外部攻击;以及
防御电路,配置为基于所述确定的结果来控制所述半导体器件执行预定的防御操作。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中施加到所述第一半导体元件的反向偏置电压具有与施加到所述第二半导体元件的反向偏置电压相同的电平。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二半导体元件具有与所述第一半导体元件相同的特性并与所述第一半导体元件相邻地设置。
4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述补偿电路还包括阻挡所述外部入射光的光学屏蔽层。
5.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述补偿电路还包括输入电阻器,所述输入电阻器连接在配置为供应电源电压的电源节点与所述第二半导体元件之间。
6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一半导体元件包括多个光敏元件,并且
所述第一电流对应于由所述多个光敏元件产生的光电流的平均值。
7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一半导体元件包括多个光敏元件,并且
所述检测电路基于由所述多个光敏元件产生的光电流来确定是否已经发生所述外部攻击。
8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述外部攻击包括对所述半导体器件的拆除封装攻击。
9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述感测电路、所述补偿电路、所述检测电路和所述防御电路被包括在单个半导体芯片中。
10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述感测电路、所述补偿电路和所述检测电路被包括在第一半导体芯片中,所述防御电路被包括在第二半导体芯片中,并且
所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片是分开的。
11.一种半导体器件的防御电路,所述防御电路包括:
连接到第一节点的第一二极管;
连接到第二节点的第二二极管;
输入电阻器,连接在配置为供应电源电压的电源节点与所述第二节点之间;
第一运算放大器,使所述第一节点作为反相输入节点并使所述第二节点作为非反相输入节点;以及
第二运算放大器,使所述第一运算放大器的输出节点作为非反相输入节点,
其中所述第一运算放大器包括连接在所述第一节点与所述第一运算放大器的所述输出节点之间的反馈电阻器。
12.根据权利要求11所述的防御电路,其中所述第一节点的电压电平与所述第二节点的电压电平相同。
13.根据权利要求12所述的防御电路,其中所述第一节点的所述电压电平和所述第二节点的所述电压电平与所述防御电路的操作温度成反比。
14.根据权利要求11所述的防御电路,其中所述第一运算放大器和所述第二运算放大器中的每个的操作电压的电平高于所述电源电压的电平。
15.根据权利要求11所述的防御电路,其中所述反馈电阻器具有与所述输入电阻器相同的电阻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的