[发明专利]一种具有缓冲层的低功耗的相变存储单元及其制备方法

权利要求书

1.一种具有缓冲层的相变存储单元，其特征在于，所述相变存储单元包括：

衬底以及依次设置在衬底上的底电极、绝缘层和顶电极，所述绝缘层中具有连通所述顶电极和所述底电极的通孔，所述通孔内依次设置有加热电极、缓冲层和相变材料功能层，所述加热电极的下表面与所述底电极接触，所述相变材料功能层的上表面与所述顶电极接触，所述缓冲层材料为CuSbM₂，其中，M为S或者Se。

2.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，所述缓冲层的厚度为5～10nm。

3.根据权利要求1或2所述的相变存储单元，其特征在于，所述加热电极的宽度小于所述缓冲层的宽度，所述相变材料功能层的宽度与所述缓冲层的宽度相同。

4.根据权利要求1或2所述的相变存储单元，其特征在于，所述顶电极靠近所述相变材料功能层的一侧具有凸出部，所述凸出部的端面与所述相变材料功能层接触。

5.根据权利要求4所述的相变存储单元，其特征在于，所述凸出部的宽度小于所述相变材料功能层的宽度。

6.一种具有缓冲层的相变存储单元的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成底电极；

在所述底电极上制备绝缘层，对所述绝缘层进行图形化得到通孔，并通过所述通孔暴露出所述底电极，在所述通孔内依次制备加热电极、缓冲层和相变材料功能层，所述缓冲层材料为CuSbM₂，其中，M为S或者Se；

制备顶电极。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为5～10nm。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，在所述底电极上制备绝缘层，对所述绝缘层进行图形化得到通孔，并通过所述通孔暴露出所述底电极，在所述通孔内依次制备加热电极、缓冲层和相变材料功能层，包括：

在所述底电极上制备第一绝缘层，对所述第一绝缘层进行图形化得到第一通孔，在第一通孔内制备加热电极；

在所述第一绝缘层上制备第二绝缘层，对所述第二绝缘层进行图形化得到第二通孔，在第二通孔内依次制备缓冲层和相变材料功能层，所述第二通孔的宽度大于所述第一通孔宽度。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，制备顶电极，包括：

在所述第二绝缘层上制备第三绝缘层，对所述第三绝缘层进行图形化得到第三通孔，在第三通孔内制备顶电极的凸出部；

在所述第三绝缘层上制备顶电极层，所述顶电极层与所述凸出部构成所述顶电极。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第三通孔的宽度小于所述第二通孔的宽度。