[发明专利]一种具有超晶格结构缓冲层的相变存储单元及制备方法在审
| 申请号： | 202110006769.4 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN112909162A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 徐明;于闰;徐开朗;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 晶格 结构 缓冲 相变 存储 单元 制备 方法 | ||
1.一种具有超晶格结构缓冲层的相变存储单元，其特征在于，所述相变存储单元包括：
衬底以及依次设置在所述衬底上的底电极、缓冲层、相变材料层和顶电极，所述缓冲层包括周期性交替层叠的n个第一子层和n个第二子层构成的超晶格结构，所述第一子层和所述第二子层的材料均为热电材料。
2.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，所述第一子层的材料为Sb2Te3，所述第二子层的材料为Bi2Te3。
3.根据权利要求1或2所述的相变存储单元，其特征在于，所述第一子层的厚度为2～5nm，所述第二子层的厚度为2～5nm。
4.根据权利要求1或2所述的相变存储单元，其特征在于，所述第一子层和所述第二子层的交替层叠周期次数n为10～30。
5.根据权利要求4所述的相变存储单元，其特征在于，所述相变材料层的厚度为50～100nm。
6.一种具有超晶格结构缓冲层的相变存储单元的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成底电极；
在所述底电极上制备缓冲层，所述缓冲层包括周期性交替层叠的n个第一子层和n个第二子层构成的超晶格结构，所述第一子层和所述第二子层的材料均为热电材料；
在所述缓冲层上制备相变材料层；
在所述相变材料层制备顶电极。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层的材料为Sb2Te3，所述第二子层的材料为Bi2Te3。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层的厚度为2～5nm，所述第二子层的厚度为2～5nm。
9.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层和所述第二子层的交替层叠周期次数n为10～30。
10.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述缓冲层上制备相变材料层之前，对所述缓冲层在氮气气氛中进行退火处理，退火时间10min，退火温度为400℃。
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