[发明专利]一种NbGe2

权利要求书

1.一种NbGe₂单晶，其特征在于，所述单晶为六方晶系，其空间群为P 62 2 2 No.180，晶胞参数为：a＝b，其范围是c的范围为α＝β＝90°,γ＝120°,晶胞体积为：(1.481±0.004)×10^-28m³。

2.根据权利要求1所述的单晶，其特征在于，所述单晶的剩余电阻率RRR的范围为650～1100，所述剩余电阻率的定义为RRR＝[ρ(300K)-ρ(4K)]/ρ(4K)。

3.根据权利要求1所述的单晶，其特征在于，所述单晶大小为0.5×0.5×0.5mm³～1.5×1.5×1.5mm³。

4.根据权利要求1所述的单晶，其特征在于，所述单晶大小为1×1×1mm³。

5.一种制备权利要求1所述NbGe₂单晶的方法，包括如下步骤：

1)将Nb和Ge以摩尔比1:2～1:2.5的范围内进行称取并研磨，得到混合物；

2)将上述混合物置于真空容器中，在温度1073K～1173K温度范围内煅烧24个小时或24小时以上；

3)然后再将煅烧后的混合粉末重新研磨，并添加2mg/cm³～4mg/cm³浓度的I₂，并将其封装在真空容器中，在低温端973K～1023K的基础温度上以温度梯度3K/cm～7K/cm反应72～168个小时，原料放置在高温端，最后在低温端获得NbGe₂单晶。

6.根据权利要求5所述的制备NbGe₂单晶的方法，其特征在于，所述的Nb和Ge为单质粉末，所述单质粉末的粒径范围100μm以下。

7.根据权利要求5所述的制备NbGe₂单晶的方法，其特征在于，所述的研磨时间为20～40min。

8.根据权利要求5所述的制备NbGe₂单晶的方法，其特征在于，所述的真空容器为真空石英管。

9.根据权利要求5所述的制备NbGe₂单晶的方法，其特征在于，所述的真空容器的真空度不大于0.1Pa。

10.权利要求1所述的NbGe₂单晶作为线性巨磁电阻材料的应用。