[发明专利]一种虚拟沟道孔的制备方法及三维存储器

权利要求书

1.一种虚拟沟道孔的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

提供一衬底，所述衬底上设有多个芯片单元，相邻所述芯片单元之间设有切割道区，所述切割道区内设有一图形对准区；

所述衬底包括层叠设置的第一叠置层、第二叠置层、第三叠置层、第四叠置层及第五叠置层，所述第五叠置层表面设有顶层叠置层；

间隔不同预设距离，沿所述顶层叠置层向下刻蚀至所述第一叠置层表面停止，在所述图形对准区形成多个开口；

移除所述图形对准区表面的顶层叠置层，暴露所述第五叠置层；

在所述多个开口及所述第五叠置层表面沉积隔离材料层；

平坦化处理所述图形对准区内的所述隔离材料层及所述第五叠置层，使剩余所述隔离材料层与所述第四叠置层表面平齐；

移除所述第四叠置层，获得对准标记用来供所述虚拟沟道孔对准，所述对准标记为多组规则排列的沟槽。

2.根据权利要求1所述一种虚拟沟道孔的制备方法，其特征在于，所述第一叠置层、第二叠置层、第三叠置层、第四叠置层及第五叠置层之间的厚度不相同。

3.根据权利要求1所述一种虚拟沟道孔的制备方法，其特征在于，所述沟槽的宽度与待对准的所述虚拟沟道孔的宽度相等。

4.根据权利要求1所述一种虚拟沟道孔的制备方法，其特征在于，所述第四叠置层的厚度不小于270nm。

5.根据权利要求1所述一种虚拟沟道孔的制备方法，其特征在于，所述图形对准区呈回字型。

6.根据权利要求1所述一种虚拟沟道孔的制备方法，其特征在于，所述图形对准区内包括多组所述对准标记。

7.根据权利要求1所述一种虚拟沟道孔的制备方法，其特征在于，所述图形对准区中形成的所述沟槽的位置对应于所述芯片单元中的所述虚拟沟道孔所在的位置。

8.根据权利要求1所述一种虚拟沟道孔的制备方法，其特征在于，在所述图形对准区形成多个沟槽的工艺步骤与所述芯片单元内的刻蚀过程同时进行。

9.根据权利要求8所述一种虚拟沟道孔的制备方法，其特征在于，将制备多个开口所需的光罩图案设置在所述芯片单元刻蚀所用光罩的对应切割道的位置上。

10.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器采用如权利要求1至权利要求9中任一项所述的虚拟沟道孔的制备方法获得。