[发明专利]一种智能功率芯片结构及其制造方法

权利要求书

1.一种智能功率芯片结构的制造方法，其包括以下步骤：

（1）提供临时衬底，在所述临时衬底上形成背面散热层；

（2）在所述背面散热层上固定一功率芯片，并形成密封所述功率芯片的密封层，所述密封层的顶面与所述功率芯片的上表面齐平以形成第一表面；

（3）在所述第一表面上形成金属层，所述金属层包括再分布层和在所述功率芯片的上表面的第一散热层；

（4）在所述金属层上覆盖一介质层；

（5）蚀刻所述介质层一形成露出所述第一散热层的开窗；

（6）在所述介质层以及所述开窗中形成间隔层；

（7）在所述介质层中形成露出所述再分布层的多个开口；

（8）在所述介质层上、所述多个开口中和所述开窗中形成凸块下金属层；

（9）在所述多个开口中填充第一金属以形成多个凸块，在所述开窗中填充第二金属以形成第二散热层；

（10）蚀刻所述第二散热层以及凸块下金属层，以形成通过所述凸块下金属层分别电连接至所述多个凸块的多个散热图案；

其中，相较于所述间隔层，所述凸块下金属层的厚度较薄，所述多个凸块通过较薄的凸块下金属层弱电连接至所述多个散热图案，用于防止焊盘的腐蚀且可以保证电连接的可靠性。

2.根据权利要求1所述的智能功率芯片结构的制造方法，其特征在于，还包括步骤（11）：移除所述临时衬底。

3.根据权利要求1所述的智能功率芯片结构的制造方法，其特征在于，所述第一金属的氧化还原电位高于所述第二金属的氧化还原电位，所述第一金属是Cu，所述第二金属是Zn或Al。

4.根据权利要求1所述的智能功率芯片结构的制造方法，其特征在于，所述结构为扇出型封装结构，其中，所述再分布层从所述功率芯片的上表面上延伸至所述密封层的顶面上。

5.根据权利要求4所述的智能功率芯片结构的制造方法，其特征在于，还包括在所述第一表面和所述金属层之间的种子层，所述种子层直接接触所述功率芯片。

6.一种智能功率芯片结构，其通过权利要求1所述的智能功率芯片结构的制造方法形成，包括：

背面散热层；

功率芯片，固定在所述背面散热层上；

密封层，密封所述功率芯片，所述密封层的顶面与所述功率芯片的上表面齐平以形成第一表面；

金属层，形成在所述第一表面上，所述金属层包括再分布层和在所述功率芯片的上表面的第一散热层；

介质层，覆盖在所述金属层上，所述介质层包括露出所述第一散热层的开窗和露出所述再分布层的多个开口；

间隔层，形成在所述介质层上以及所述开窗中；

凸块下金属层，形成于所述介质层上、所述多个开口中和所述开窗中；

多个凸块，形成在所述多个开口中且由第一金属形成；

多个散热图案，形成在所述开窗中的凸块下金属层上且由第二金属形成，所述多个散热图案通过所述凸块下金属层分别电连接至所述多个凸块；

其中，相较于所述间隔层，所述凸块下金属层的厚度较薄，所述多个凸块通过较薄的凸块下金属层弱电连接至所述多个散热图案，用于防止焊盘的腐蚀且可以保证电连接的可靠性。

7.根据权利要求6所述的智能功率芯片结构，其特征在于，所述第一金属的氧化还原电位高于所述第二金属的氧化还原电位，所述第一金属是Cu，所述第二金属是Zn或Al。

8.根据权利要求7所述的智能功率芯片结构，其特征在于，所述结构为扇出型封装结构，其中，所述再分布层从所述功率芯片的上表面上延伸至所述密封层的顶面上。

9.根据权利要求8所述的智能功率芯片结构，其特征在于，还包括在所述第一表面和所述金属层之间的种子层，所述种子层直接接触所述功率芯片。

10.根据权利要求9所述的智能功率芯片结构，其特征在于，所述间隔层与所述介质层的材质相同。