[发明专利]一种基于薄膜晶体管的DNA传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，该DNA传感器包括薄膜晶体管及DNA分子探针(6)，所述的薄膜晶体管包括基板衬底(1)、栅电极(2)、绝缘层(3)、源漏电极(4)及半导体层(5)，所述的基板衬底(1)、栅电极(2)、绝缘层(3)由下而上依次设置，所述的半导体层(5)设置在绝缘层(3)上，所述的源漏电极(4)与半导体层(5)接触，所述的DNA分子探针(6)固定在源漏电极(4)上。

2.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述的源漏电极(4)及半导体层(5)均设置在绝缘层(3)上，并且所述的半导体层(5)位于源漏电极(4)的沟道中。

3.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述的源漏电极(4)设置在半导体层(5)上。

4.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述的基板衬底(1)的材质为绝缘材料，或为导电材料表面覆盖一层绝缘材料形成的复合材料。

5.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述的栅电极(2)的材质包括金、铝、铜、钛、银或重掺杂硅中的一种或更多种。

6.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述的绝缘层(3)的材质包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛或聚乙烯醇中的一种或更多种。

7.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述的源漏电极(4)的材质包括金、银、铜、铝、镁、铝、钛、铅或铂中的一种或更多种。

8.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述的半导体层(5)的材质为石墨烯、黑磷、硅烯、金属氧化物、MoS₂、WS₂、MoSe₂、WSe₂、MoTe₂、WTe₂、ZrS₂、ZrSe₂、NbSe₂、NbS₂、TaS₂、NiSe₂、GaSe、GaTe、InSe、ReTe₂、TiTe₂、NbTe₂或SnTe₂。

9.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述的DNA分子探针(6)为ssDNA分子探针或dsDNA分子探针。

10.一种如权利要求1至9任一项所述的基于薄膜晶体管的DNA传感器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)采用蒸发或溅射的方法在基板衬底(1)表面制备栅电极(2)；

2)采用蒸发的方法在栅电极(2)上制作绝缘层(3)；

3)沉积源漏电极(4)及半导体层(5)，并通过物理吸附、键合或自组装的方法在源漏电极(4)表面固定DNA分子探针(6)。