[发明专利]一种金属框架封装基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202110009078.X 申请日: 2021-01-05
公开(公告)号: CN112820713B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 陈先明;洪业杰;冯磊;黄本霞 申请(专利权)人: 珠海越亚半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 李翔;鲍胜如
地址: 519175 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 框架 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种金属框架封装基板,包括金属框架、位于所述金属框架的贯穿空腔内的器件、位于所述金属框架的贯穿通孔内的通孔柱,以及包覆所述金属框架、所述器件及所述通孔柱的核心介质层;其中,所述器件和所述通孔柱通过所述核心介质层与所述金属框架间隔开,所述核心介质层的上表面设置有第一散热层并且所述第一散热层与所述金属框架连通,在所述器件的散热底面上设置有与所述散热底面接触的第二散热层,在所述第二散热层上设置有与所述第二散热层接触的第三散热层,其中所述器件的散热底面通过所述第二散热层与所述金属框架导通连成一体,并且所述第二散热层完全覆盖接触所述散热底面。

2.根据权利要求1所述的金属框架封装基板,其中所述核心介质层的上表面设置有第一散热层和第一导电线路层,所述第一导电线路层与所述器件的端子连通,所述第一散热层与所述金属框架连通;所述核心介质层的下表面设置有下介质层,所述下介质层与所述核心介质层接触的内表面设置有第二散热层和导通线路凸块,所述第二散热层与所述器件的背面或所述金属框架连通,所述通孔柱将所述第一导电线路层及所述导通线路凸块导通连接。

3.根据权利要求2所述的金属框架封装基板,其中所述下介质层的外表面设置有第三散热层和第三导电线路层,所述第三散热层穿透所述下介质层与所述第二散热层连通,所述第三导电线路层穿透所述下介质层与所述导通线路凸块连通,所述第一导电线路层与所述第三导电线路层通过所述通孔柱及所述导通线路凸块导通连接。

4.根据权利要求3所述的金属框架封装基板,其中所述第一导电线路层及所述第一散热层外设置有第一阻焊层,所述第三散热层及所述第三导电线路层外设置有第二阻焊层,所述第一阻焊层及所述第二阻焊层内分别设置有第一阻焊开窗及第二阻焊开窗。

5.根据权利要求1所述的金属框架封装基板,其中所述金属框架内设置有至少一个通孔柱,所述通孔柱为铜通孔柱,所述第一散热层、第二散热层、第三散热层均为铜散热层。

6.根据权利要求5所述的金属框架封装基板,其中所述至少一个通孔柱具有相同或不同的截面尺寸和/或形状。

7.一种金属框架封装基板的制造方法,包括如下步骤:

(a)准备铜箔板,在所述铜箔板上形成沿高度方向贯穿的贯穿通孔和贯穿空腔,由此制得金属框架;

(b)在所述金属框架的底面粘贴粘合层,在所述贯穿空腔内将器件贴装在所述粘合层上;

(c)层压感光型材料形成核心介质层,在所述核心介质层的上表面制作包括第一散热层和第一导电线路层的第一线路层,在所述核心介质层的下表面制作包括第二散热层和导通线路凸块的第二线路层,在所述贯穿通孔内制作通孔柱,其中所述第一散热层与所述金属框架导通连接,所述器件的散热底面通过所述第二散热层与所述金属框架导通连成一体,并且所述第二散热层完全覆盖接触所述散热底面;

(d)在所述第二线路层外层压介质材料形成下介质层,并在所述下介质层的外表面制作包括第三散热层和第三导电线路层的第三线路层,其中所述第三散热层与所述第二散热层接触导通;

(e)在所述第一线路层外制作第一阻焊层,在所述第三线路层外制作第二阻焊层,对所述第一阻焊层和所述第二阻焊层分别进行开窗形成第一阻焊开窗和第二阻焊开窗,并进行金属表面处理。

8.根据权利要求7所述的金属框架封装基板的制造方法,其中步骤(b)包括将器件的背面贴装在所述贯穿空腔内暴露的粘合层上。

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