[发明专利]一种镀膜装置

权利要求书

1.一种镀膜装置，其特征在于，该装置包括多反应腔系统、传输腔系统、控制系统、气路系统、水冷系统及手套箱；其中多反应腔系统包括2个以上独立的反应腔系统，各反应腔系统分布于传输腔系统四周；手套箱与传输腔系统、传输腔系统与各反应腔之间设置有密封的过渡腔室且通过高真空插板阀实现两者的连通与关闭；

所述各反应腔系统均包括真空腔体及位于真空腔体内的靶系统和载片台系统，各反应腔内的真空度控制在8*10^-5Pa以下。

2.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述传输腔系统包括柱型传输腔腔体，该传输腔腔体上方设置有观测盖；传输腔腔体内设置有可自由旋转的机械传输手，该机械传输手可实现将基片传送至各反应腔系统内。

3.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述载片台系统包括可加热、旋转和射频清洗的载片台；载片台的加热温度控制在150～350℃；载片台旋转速率为5～30r/min。

4.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，各反应腔系统内的靶系统内设置有强磁性靶块，基体置于载片台系统内的载片台上，靶块距基体间距为50～100mm。

5.根据权利要求4所述的镀膜装置，其特征在于，靶块可在-30～30°之间旋转。

6.根据权利要求4或5所述的镀膜装置，其特征在于，靶块的位置和角度可通过反应腔系统内真空腔体外设置的丝杆调节。

7.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述各反应腔系统的真空腔体的形状为“D”型腔或“O”型腔。

8.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述水冷系统与反应腔系统内的靶系统连接，用于冷却靶块。

9.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述多反应腔系统的个数为两个，该两个反应腔系统成90°分布于传输腔系统两侧；其中两个反应腔系统分别为Ni靶反应腔系统和Ti靶反应腔系统，所述传输腔内的机械传输手设置为O°、90°及180°三个位置的选择，可实现旋转及与手套箱口、Ni靶反应腔腔体和Ti靶反应腔腔体的精准对位。

10.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述手套箱内设置有惰性气体保护气氛，手套箱一侧设置有进样口和过渡管。

11.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述真空腔体外侧均设置有观测窗口及检修门。

12.根据权利要求9所述的镀膜装置，其特征在于，Ti靶反应腔内设置有可放置Ti靶块的波纹管。