[发明专利]电池封装方法、电池及电子设备有效

专利信息
申请号: 202110011094.2 申请日: 2021-01-06
公开(公告)号: CN112736288B 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 李康生;孙赵勇;张淼;韩晓辉 申请(专利权)人: 曙鹏科技(深圳)有限公司
主分类号: H01M10/058 分类号: H01M10/058;H01M10/04
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 谢岳鹏
地址: 518000 广东省深圳市龙华区福城街道福民社区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电池 封装 方法 电子设备
【说明书】:

发明公开了一种电池封装方法、电池及电子设备。本发明的电池封装方法,包括:在封装膜的第一侧制成用于容纳电芯和电解液的第一坑位和第二坑位,使第一坑位和第二坑位之间的桥接部自封装膜的第二侧向第一侧方向凹陷,将电芯置于第一坑位或第二坑位中,沿桥接部翻折封装膜使第一坑位和第二坑位对接,然后进行封装。本发明实施例中的电池封装方法,通过将桥接部冲压形成凹槽结构,封装膜对折后,桥接部的封装膜不会相对电池内部的电芯凸出,不需要压平桥接部多余的封装膜,减小了电池的高度,增加了电池的能量密度。

技术领域

本发明涉及锂电池领域,尤其涉及一种电池封装方法、电池及电子设备。

背景技术

锂电池具有能量密度高、工作电压高、无记忆效应、循环寿命长等优点,被广泛应用于各类电子产品中。目前,锂电池通常采用封装膜密封电解液与电芯。在电芯的正、负极材料材料容量和隔膜厚度相同的情况下,封装膜的厚度越薄,电池的能量密度越高。然而,当电芯的厚度较厚时,封装膜在冲坑工序中容易破损。相关技术中,采用对封装膜冲双坑的方法,以减少单个坑位的深度,可以避免封装膜因冲坑变形过大而破损。但冲双坑时,为防止两个坑之间桥接部破损,会适当的增加桥接部的宽度,电池在封装时,桥接部的封装膜会被压平,从而增加了电池的高度,降低了电池的能量密度。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种电池封装方法,能够减小电池的高度,增加电池的能量密度。

本发明还提出一种电池,由上述的电池封装方法生产制成。

本发明还提出一种电池。

本发明还提出一种具有上述电池的电子设备。

根据本发明的第一方面实施例的电池封装方法,包括:

在封装膜的第一侧制成用于容纳电芯和电解液的第一坑位和第二坑位,使所述第一坑位和所述第二坑位之间的桥接部自所述封装膜的第二侧向所述第一侧的方向凹陷,将所述电芯置于所述第一坑位或所述第二坑位中,沿所述桥接部翻折所述封装膜使所述第一坑位和所述第二坑位对接,然后进行封装,所述桥接部形成向电池内部凹陷的凹槽结构。

根据本发明实施例的电池封装方法,至少具有如下有益效果:相关技术中的电池封装方法,采用在电池封装完后,再将桥接部压平,桥接部多余的封装膜会堆叠在电池的底部,增加电池的高度,降低电池的能量密度。本发明实施例中的电池封装方法,通过将桥接部冲压形成凹槽结构,封装膜对折后,桥接部的封装膜不会相对电池内部的电芯凸出,不需要压平桥接部多余的封装膜,减小了电池的高度。在相同的电池安装空间内,本发明实施例中的电池封装方法生产的电池,电池底部的封装膜的厚度减小,从而电池可以容纳高度更高的电芯,从而增加了电池的能量密度。

根据本发明的一些实施例,制作所述第一坑位和所述第二坑位时,使所述第一坑位的深度大于所述第二坑位的深度;封装时,将所述电芯放置于所述第一坑位中,使制有所述第二坑位的封装膜沿所述桥接部向所述第一坑位翻折至所述第二坑位与所述第一坑位包裹住所述电芯,然后进行封装。

根据本发明的一些实施例,先对所述电池的极耳所在的一端的封装膜进行封合,再对所述电池的两侧的封装膜进行封合。

根据本发明的一些实施例,对所述电池的极耳所在的一端的封装膜进行封合后,使所述凹槽结构呈圆弧形,再对所述电池的两侧的封装膜进行封合。

根据本发明的一些实施例,采用封装装置对所述电池的两侧的封装膜进行封合,所述封装装置用于封合封装膜的封头的封装面由弹性材料制成。

根据本发明的一些实施例,使所述第一坑位和所述第二坑位的同一侧预留有气袋部,对所述第一坑位与所述第二坑位的另一侧的封装膜进行封合后,向所述电池的内部注入电解液,将所述气袋部中的气体抽出,对所述电池连接气袋部的一侧的封装膜进行封合。

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