[发明专利]一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构

权利要求书

1.一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其特征包括衬底层和位于衬底层表面的源区金属层、漏区金属层、栅区金属层；衬底层上方与源区金属层、漏区金属层、栅区金属层之间从下至上依次设有水平N+漏层、N-漂移区、P型阱区层和N+型源区层；还包括双沟槽结构：槽型多晶硅栅区和槽型场氧；槽型场氧右侧设与水平N+漏层连接的纵向N+漏区；源区金属层、漏区金属层、栅区金属层分别通过接触孔内金属分别与N+型源区层、纵向N+漏区、槽型多晶硅栅区连接。

2.如权利要求1所述的一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其特征是所述的水平N+漏层和纵向N+漏区，其重掺杂为低阻区。

3.如权利要求1所述的一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其特征是所述的N-漂移区，其轻掺杂为高阻区。

4.如权利要求1所述的一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其特征是所述的P型阱区层高度不超过沟槽结构的底部。

5.如权利要求1所述的一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其特征是所述的槽型多晶硅栅区顶部位于N+型源区层的底部之上。

6.如权利要求1所述的一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其特征是所述的槽型多晶硅栅区内壁及底部附有绝缘栅氧化层，绝缘栅氧化层中间填充有多晶硅，多晶硅与绝缘栅氧化层侧面端及底部接触。

7.如权利要求6所述的一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其特征是所述的多晶硅的高度小于沟槽结构的深度。

8.如权利要求1所述的一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其特征是所述的槽型场氧贯穿N+型源区层、P型阱区层及N-漂移区，槽型场氧底部与水平N+漏层表面接触，槽型场氧内填充二氧化硅。

9.如权利要求1-8任一项所述的一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其特征是还包括绝缘介质层，绝缘介质层位于N+型源区层上方，绝缘介质层上开有接触孔。