[发明专利]一种ZnCdS薄膜的制备方法及铜锌锡硫硒太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种ZnCdS薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将可溶性镉盐、氨水和硫源依次溶于水中，得到混合溶液；所述混合溶液中硫源的浓度为1.0mol/L；

将基底置于所述混合溶液中，向所述混合溶液中滴加锌盐水溶液，进行化学水浴沉积，在基底的表面形成ZnCdS薄膜；所述混合溶液中Cd²⁺的浓度与滴加的锌盐水溶液中Zn²⁺的浓度比为1：(50～75)；所述锌盐水溶液中Zn²⁺的浓度为0.01mol/L；所述锌盐水溶液和混合溶液的体积比为2:23；所述化学水浴沉积的温度为60～70℃。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合溶液中氨水的浓度为1.8mol/L。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述可溶性镉盐包括硫酸镉；所述锌盐水溶液中的锌盐包括硫酸锌；所述硫源包括硫脲。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述化学水浴沉积的时间为10～20min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述锌盐水溶液的滴加速度为4mL/min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述ZnCdS薄膜的厚度为60～70nm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述化学水浴沉积完成后，还包括将沉积有ZnCdS薄膜的基底分别用去离子水和无水乙醇依次进行冲洗，冲洗干净后烘干。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将基底置于所述混合溶液中的操作方法为：将基底垂直放置在聚四氟乙烯支架上，再将支架和基底一起放置于混合溶液中。

9.一种铜锌锡硫硒太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

用直流磁控溅射在钠钙玻璃表面沉积背电极Mo层；

在所述背电极Mo层表面沉积CZTSSe吸收层；

采用权利要求1～8任一项所述的制备方法在CZTSSe吸收层表面制备ZnCdS薄膜，作为缓冲层；

用射频磁控溅射在所述缓冲层表面制备本征ZnO层；

用射频磁控溅射在所述ZnO层表面沉积ITO窗口层；

用热蒸发在所述ITO窗口层上沉积Ag栅极，得到铜锌锡硫硒太阳电池。