[发明专利]电感装置在审
申请号: | 202110011828.7 | 申请日: | 2021-01-06 |
公开(公告)号: | CN114724799A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 罗正玮;张介斌;黄凯易;叶达勋 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F27/28 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 胡少青;许媛媛 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电感 装置 | ||
1.一种电感装置,其特征在于,所述电感装置包含:
四个回路,依序以顺时针前后排列,并包含:
第一象限回路,包含第一线段、第二线段以及第三线段,其中所述第一线段与第一输出入端直接连接,所述第二线段与第二输出入端直接连接;
第二象限回路以及第四象限回路,分别包含第一线段、第二线段以及第三线段,其中所述第一线段与前一象限回路的所述第一线段经由所述四个回路间的中央区域进行中央跨接,以及经由所述第二线段上方侧边跨接至所述第三线段后与对角象限回路的所述第二线段经由所述中央区域直接连接,所述第二线段分别与所述对角象限回路的所述第三线段及所述前一象限回路的所述第二线段经由所述中央区域直接连接;以及
第三象限回路,包含第一线段、第二线段以及第三线段,所述第一线段与所述第四象限回路的所述第一线段经由所述中央区域进行中央跨接,以及与所述第一象限回路的所述第三线段经由所述中央区域进行中央跨接,所述第二线段与所述第四象限回路的所述第二线段经由所述中央区域直接连接,以及经由所述第一线段上方侧边跨接至所述第三象限回路的所述第三线段后与所述第一象限回路的所述第三线段经由所述中央区域进行中央跨接;以及
多个中央跨接线段以及多个侧边跨接线段,分别配置以进行中央跨接与侧边跨接。
2.如权利要求1所述的电感装置,其特征在于,所述多个中央跨接线段以及所述多个侧边跨接线段的总数为七个。
3.如权利要求1所述的电感装置,其特征在于,所述第一象限回路至所述第四象限回路的所述第一线段、所述第二线段以及至少部分所述第三线段分别形成最外两圈结构。
4.如权利要求3所述的电感装置,其特征在于,所述第二象限回路以及所述第四象限回路的所述第三线段在所述第二象限回路以及所述第四象限回路的中心区域与所述第一线段侧边跨接,且自所述中心区域起始环绕所述中心区域以形成至少一圈的内圈结构以及部分所述最外两圈结构后与所述对角象限回路的所述第二线段相连。
5.如权利要求3所述的电感装置,其特征在于,所述第一象限回路的所述第三线段在所述第一象限回路的中心区域与所述第三象限回路的所述第一线段中央跨接,且自所述中心区域起始环绕所述中心区域以形成至少一圈的内圈结构以及部分所述最外两圈结构后与所述第三象限回路的所述第三线段中央跨接;
所述第三象限回路的所述第三线段在所述第三象限回路的中心区域与所述第一象限回路的所述第三线段中央跨接,且自所述中心区域起始环绕所述中心区域以形成至少一圈的内圈结构以及部分所述最外两圈结构后与所述第三象限回路的所述第二线段侧边跨接。
6.如权利要求1所述的电感装置,其特征在于,所述第一象限回路的所述第三线段上包含中心抽头。
7.如权利要求1所述的电感装置,其特征在于,所述第一象限回路以及所述第三象限回路的电流行进方向是沿第一方向环绕,所述第二象限回路以及所述第四象限回路所述电流行进方向是沿第二方向环绕,其中所述第一方向以及所述第二方向分别为顺时针方向以及逆时针方向其中之一。
8.如权利要求7所述的电感装置,其特征在于,所述第一象限回路至所述第四象限回路的磁场方向依所述电流行进方向决定。
9.如权利要求1所述的电感装置,其特征在于,所述多个中央跨接线段以及所述多个侧边跨接线段的阻抗大于所述第一象限回路至所述第四象限回路的所述第一线段至所述第三线段的阻抗。
10.一种电感装置,其特征在于,所述电感装置包含:
四个回路,依序以顺时针前后排列,并包含:
第一象限回路,包含第一线段以及第二线段,其中所述第一线段与第一输出入端直接连接,所述第二线段与第二输出入端直接连接;
第二象限回路,包含第一线段,经由所述四个回路间的中央区域直接连接所述第一象限回路的所述第二线段;
第三象限回路,包含第一线段,与所述第一象限回路的所述第一线段经由所述中央区域进行中央跨接;以及
第四象限回路,包含第一线段,分别与所述第二象限回路的所述第一线段经由所述中央区域直接连接,以及与所述第三象限回路的所述第一线段经由所述中央区域进行中央跨接;以及
多个中央跨接线段,分别配置以进行中央跨接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞昱半导体股份有限公司,未经瑞昱半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110011828.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光装置
- 下一篇:在虚拟空间中嵌入数字内容