[发明专利]显示基板、显示装置在审
申请号: | 202110012677.7 | 申请日: | 2021-01-06 |
公开(公告)号: | CN112768495A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 郑灿;刘利宾;史世明;薄赜文 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 李岩 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括显示区域、绑定区域以及位于所述显示区域和所述绑定区域之间的扇出区域,
所述扇出区域包括触控引线、数据引线以及位于所述触控引线和所述数据引线之间的至少一条屏蔽线,所述至少一条屏蔽线接地或接固定电位。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述扇出区域包括第一扇出区和第二扇出区、位于所述第一扇出区和所述第二扇出区之间的折弯区,所述第一扇出区与所述显示区相邻,所述绑定区域位于所述第二扇出区远离所述折弯区的一侧。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括触控结构,所述触控结构包括位于所述显示区的触控电极,以及与所述触控电极相连并延伸至所述扇出区域以及所述绑定区域的所述触控引线。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述屏蔽线为接地线以及直流信号线的至少之一。
5.根据权利要求2-4任一项所述的显示基板,其特征在于,第一扇出区包括:
基板;
栅极层,位于所述基板上的栅极层;
源漏电极层,所述源漏电极层位于所述栅极层远离所述栅极层的一侧,且与所述栅极层之间间隔有绝缘介质;
屏蔽层,位于所述源漏电极层远离所述基板的一侧;
金属走线层,所述金属走线位于所述屏蔽层远离所述基板的一侧,并与所述屏蔽层之间间隔有第二绝缘介质。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述数据引线、所述触控引线以及所述屏蔽线分别自所述显示区域延伸至第一扇出区,且所述第一扇出区处的所述屏蔽层为正极电源线和负极电源线。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述数据引线、所述触控引线以及所述屏蔽线分别自所述第一扇出区延伸至所述折弯区,并在所述折弯区处均通过过孔跳线至所述源漏电极层,
所述触控引线被划分为多个触控引线组,所述数据引线被划分为多个数据引线组,所述触控引线组和所述数据引线组一一交替设置,且位于所述折弯区中相邻的所述触控引线组和所述数据引线组之间间隔有接地线。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,至少一对相邻的所述触控引线组和所述数据引线组之间间隔有一根或多根所述接地线。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,每一对相邻的触控引线组和所述数据引线组之间,均间隔有至少一根所述接地线。
10.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述数据引线、所述触控引线在所述第二扇出区均通过过孔跳线至所述栅极层,且相邻的所述触控引线组和所述数据引线组之间间隔有所述接地线。
11.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,还包括防静电组件设置区和第三扇出区,位于所述第二扇出区和所述绑定区域之间,
所述防静电组件设置区具有多个防静电元件组,每个所述防静电元件组具有多个防静电元件,所述数据引线与所述防静电元件相连,所述触控引线位于相邻的两个所述防静电元件组之间,且所述触控引线和所述防静电元件组之间间隔有所述接地线。
12.一种显示装置,其特征在于,包括:
显示基板,所述显示基板为权利要求1-11任一项所述的显示基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110012677.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的