[发明专利]色散阵列及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110012749.8 申请日: 2021-01-06
公开(公告)号: CN113138021A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克;丹尼尔·阿桑姆普考 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G01J3/02 分类号: G01J3/02;G01J3/28
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;薛义丹
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 色散 阵列 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种色散阵列,所述色散阵列包括:

至少一个色散结构,以目标波长的0°色散开始使目标波长范围的光色散,其中,色散结构还包括:

纳米结构层;以及

滤波器层。

2.根据权利要求1所述的色散阵列,其中,纳米结构层包括纳米孔、纳米棒或纳米天线。

3.根据权利要求1所述的色散阵列,其中,纳米结构层包括介电材料或等离子体材料。

4.根据权利要求1所述的色散阵列,其中,色散结构被调节为散射和色散目标波长范围的光。

5.根据权利要求1所述的色散阵列,其中,纳米结构层还包括纳米结构行,其中,纳米结构行彼此平行。

6.根据权利要求5所述的色散阵列,其中,纳米结构行还包括纳米孔。

7.根据权利要求6所述的色散阵列,其中,纳米孔形成在TiO2层中。

8.根据权利要求6所述的色散阵列,其中,纳米孔的半径是色散结构的目标波长范围内的目标波长的一半或更小。

9.根据权利要求6所述的色散阵列,其中,纳米孔在纳米结构行内间隔得足够靠近,以允许目标波长范围在没有散射的情况下在一个维度上穿过纳米结构行。

10.根据权利要求5所述的色散阵列,其中,纳米结构行分布在最小距离与最大距离之间。

11.根据权利要求10所述的色散阵列,其中,纳米结构行在最小距离与最大距离之间随机分布。

12.根据权利要求10所述的色散阵列,其中,纳米结构行之间的最大距离是色散结构的目标波长范围的最长波长的长度的一半。

13.根据权利要求1所述的色散阵列,其中,滤波器层包括分布式布拉格反射器、介电镜、光纤布拉格光栅或半导体布拉格镜。

14.根据权利要求1所述的色散阵列,其中,滤波器层至少包括第一厚度和第一材料的第一层以及第二厚度和第二材料的第二层,第一层和第二层交替地堆叠在彼此的顶部上以形成堆叠层。

15.根据权利要求14所述的色散阵列,其中,第一层包括TiO2,并且第二层包括SiO2

16.根据权利要求14所述的色散阵列,其中,存在至少两组堆叠层。

17.根据权利要求14所述的色散阵列,其中,堆叠层能够使色散结构的目标波长范围的光色散。

18.根据权利要求14所述的色散阵列,其中,色散阵列包括两个或更多个色散结构,并且至少一个色散结构包括缺陷层。

19.根据权利要求18所述的色散阵列,其中,色散阵列包括具有缺陷层的多个色散结构,并且至少两个色散结构具有不同厚度的缺陷层。

20.一种制造色散阵列的方法,所述方法包括以下步骤:

在基底上沉积第一滤波器堆叠体;

沉积缺陷层;

沉积第二滤波器堆叠体;

沉积盖堆叠体;以及

由盖堆叠体形成纳米结构。

21.根据权利要求20所述的方法,其中,沉积第一滤波器堆叠体的步骤包括沉积至少一个第一材料组成的第一层以及至少一个第二材料组成的第二层。

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