[发明专利]一种碳化硅场效应管的串扰抑制电路及方法

说明书

本申请公开了一种碳化硅场效应管的串扰抑制电路及方法，用以解决现有的桥臂电路中出现串扰的技术问题。电路包括：上桥臂电路、下桥臂电路；上桥臂电路包括上开关管S_H以及第一低阻抗回路；第一低阻抗回路的一端连接上开关管S_H的第二极，第一低阻抗回路的另一端连接上开关管S_H的第三极，同时连接下开关管S_L的第一极；第一低阻抗回路用于抑制上开关管S_H的第二极与第三极之间的正向串扰电压以及负向串扰电压；下桥臂电路包括下开关管S_L以及第二低阻抗回路；第二低阻抗回路用于抑制下开关管S_L的第二极与第三极之间的正向串扰电压以及负向串扰电压。本申请通过上述电路实现了上下开关管之间的串扰抑制。

技术领域

本申请涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种碳化硅场效应管的串扰抑制电路及方法。

背景技术

碳化硅场效应管由于其具有的开关速度快、开关损耗小以及耐高压等特点，被广泛应用于大功率电子电路中。其中，最常见的就是由碳化硅场效应管构成的桥臂电路。

但在桥臂电路中由于各种寄生参数的存在，一个场效应管的开关动作会对另外一个场效应管产生不利的影响，即出现串扰现象。如果不对该串扰现象进行有效的抑制，就容易导致碳化硅功率场效应管的损坏或者加速碳化硅场效应管的退化。

发明内容

本申请实施例提供了一种碳化硅场效应管的串扰抑制电路及方法，用以解决现有的桥臂电路中，碳化硅场效应管之间出现串扰的技术问题。

一方面，本申请实施例提供了一种碳化硅场效应管的串扰抑制电路，包括：上桥臂电路、下桥臂电路；上桥臂电路包括上开关管S_H以及第一低阻抗回路；第一低阻抗回路的一端连接上开关管S_H的第二极，第一低阻抗回路的另一端连接上开关管S_H的第三极，同时连接下开关管S_L的第一极；第一低阻抗回路用于抑制上开关管S_H的第二极与第三极之间的正向串扰电压以及负向串扰电压；下桥臂电路包括下开关管S_L以及第二低阻抗回路；第二低阻抗回路的一端连接下开关管S_L的第二极，第二低阻抗回路的另一端连接下开关管S_L的第三极；第二低阻抗回路用于抑制下开关管S_L的第二极与第三极之间的正向串扰电压以及负向串扰电压。

本申请实施例提供的一种碳化硅场效应管的串扰抑制电路及方法，通过上述第一低阻抗回路、第二低阻抗回路，在不影响碳化硅场效应管开关性能的前提下，不仅避免了上开关管或者下开关管的误导通问题，而且防止了负向电压超过碳化硅场效应管的承受范围，进而避免了上开关管或者下开关管的负压击穿问题，从而实现了碳化硅场效应管的串扰抑制问题。

在本申请的一种实现方式中，第一低阻抗回路包括第一上电容C1_H、第二上电容C2_H、第三上二极管D3_H、第三上开关管S3_H以及第一上电压源U1_H；其中，上开关管S_H的第二极连接上驱动电阻Rin_H的一端；上驱动电阻Rin_H的另一端连接第三上二极管D3_H的阴极，同时连接第二上电容C2_H的一端；第二上电容C2_H的另一端连接第三上开关管S3_H的第一极；第三上开关管S3_H的第三极连接第一上电压源U1_H的负极；第一上电压源U1_H的正极连接上开关管S_H的第三极，同时连接下开关管S_L的第一极；第三上二极管D3_H的阳极连接第一上电容C1_H的一端；第一上电容C1_H的另一端连接第一上电压源U1_H的正极，同时连接上开关管S_H的第三极，同时连接下开关管S_L的第一极。

在本申请的一种实现方式中，上桥臂电路还包括第一电压电路，第一电压电路包括第一正向供电电源Uon1、第一负向供电电源Uoff1、第一上开关管S1_H以及第二上开关管S2_H；第一正向供电电源Uon1连接第一上开关管S1_H的第一极；第一上开关管S1_H的第三极连接第二上开关管S2_H的第一极；第二上开关管S2_H的第三极连接第一负向供电电源Uoff1。