[发明专利]3D存储器件及其读取方法

权利要求书

1.一种3D存储器件的读取方法，所述3D存储器件包括多个存储单元串，每个存储单元串包括多个存储单元，每个存储单元串最顶部存储单元连接至顶部选择管，所述顶部选择管连接至位线，存储单元串最底部的存储单元连接至底部选择管，其特征在于，包括：

根据编程顺序对一存储单元串的多个存储单元依次进行编程；

对一个存储单元进行读取操作时，根据所述存储单元的编程顺序向存储单元串施加不同的位线电压；

其中，所述存储单元的编程顺序越靠前，读取操作时向存储单元串上施加的位线电压越大。

2.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，还包括：

根据一存储单元串的多个存储单元的编程顺序，将多个存储单元划分成第一存储组、第二存储组和第三存储组，其中，第一存储组最先编程、第二存储组中间编程、第三存储组最后编程；读取操作选中的存储单元位于第一存储组时，向存储单元串上施加第一位线电压；

读取操作选中的存储单元位于第二存储组时，向存储单元串上施加第二位线电压；

读取操作选中的存储单元位于第三存储组时，向存储单元串上施加第三位线电压；

第一位线电压、第二位线电压和第三位线电压的幅值不同。

3.根据权利要求2所述的读取方法，其特征在于，第一位线电压大于第二位线电压，第二位线电压大于第三位线电压。

4.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，当所述编程顺序为正向编程顺序时，从与底部选择管相邻的存储单元向与顶部选择管相邻的存储单元依次编程。

5.根据权利要求4所述的读取方法，其特征在于，读取操作选中的存储单元越靠近底部选择管，向存储单元串上施加的位线电压越大。

6.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，当所述编程顺序为逆向编程顺序时，从与顶部选择管相邻的存储单元向与底部选择管相邻的存储单元依次编程。

7.根据权利要求6所述的读取方法，其特征在于，读取操作选中的存储单元越靠近顶部选择管，向存储单元串上施加的位线电压越大。

8.一种3D存储器件，其特征在于，包括：

存储单元阵列，包括多个存储单元串，各存储单元串包括多个存储单元，每个存储单元串最顶部存储单元连接至顶部选择管，所述顶部选择管连接至位线，存储单元串最底部的存储单元连接至底部选择管；

控制器，与所述存储单元阵列电连接，用于根据编程顺序对一存储单元串的多个存储单元依次进行编程；对一个存储单元进行读取操作时，根据所述存储单元的编程顺序向存储单元串施加不同的位线电压；

其中，所述存储单元的编程顺序越靠前，所述控制器对所述存储单元进行读取操作时向存储单元串上施加的位线电压越大。

9.根据权利要求8所述的3D存储器件，其特征在于，所述控制器还用于：

根据一存储单元串的多个存储单元的编程顺序，将多个存储单元划分成第一存储组、第二存储组和第三存储组，其中，第一存储组最先编程、第二存储组中间编程、第三存储组最后编程；读取操作选中的存储单元位于第一存储组时，向存储单元串上施加第一位线电压；

读取操作选中的存储单元位于第二存储组时，向存储单元串上施加第二位线电压；

读取操作选中的存储单元位于第三存储组时，向存储单元串上施加第三位线电压；

第一位线电压、第二位线电压和第三位线电压的幅值不同。

10.根据权利要求9所述的3D存储器件，其特征在于，第一位线电压大于第二位线电压，第二位线电压大于第三位线电压。

11.根据权利要求8所述的3D存储器件，其特征在于，当所述编程顺序为正向编程顺序时，所述控制器从与底部选择管相邻的存储单元向与顶部选择管相邻的存储单元依次编程。